公开(公告)号：CN110168136A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780083027.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 铃木良和 ,  久住庸辅

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  G09F9/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种配线修正装置，其照射由CVD用激光振荡器振荡产生的CVD用的激光，并在修正用基板的激光照射面使CVD用原料气体进行光分解，从而在激光照射面形成修正用金属配线，其特征在于，具有改性用激光振荡器，改性用激光振荡器使波长与CVD用的激光不同的改性用的激光产生振荡，而使修正用金属在熔融之后固化。

公开(公告)号：CN103026297B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201180036907.8

申请日：2011-03-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 久住庸辅 ,  小田岛孝广

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供一种光掩模修正方法及激光加工装置，可进行更低的透射率的光掩模的半色调图案的修正。使用从Q开关频率设定在1Hz至1kHz的范围内的CVD加工用激光振荡器（11）射出的每一脉冲的照射能量密度为40mJ/cm2以上或照射功率密度为1MW/cm2以上的紫外激光及由铬羰基气体构成的原料气体在光掩模（2）的半色调图案的修正部分成膜CVD膜。本发明可以应用于例如进行光掩模的修正的激光加工装置。

公开(公告)号：CN102808166B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210156431.8

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 久住庸辅 ,  尾崎公一

IPC: C23C16/448

Abstract: 一种原料气体发生装置，抑制原料气体的浓度降低。该原料气体发生装置（101）对容器（111）内的固体原料（102）进行加热，产生CVD加工用的原料气体。经由通气管（113）导入到容器（111）内的运载气体通过气体扩散部件（115）的扩散体（131）进行扩散，并从开口部（115A）向垂直下方向喷出。由固体原料102产生的原料气体与运载气体一起从固体原料（102）的上方经由通气管（116）向容器（111）之外排出。本发明例如可适用于产生CVD加工用的原料气体的原料气体发生装置。