公开(公告)号：CN101341582B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200780000830.2

申请日：2007-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  高桥伸明

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J65/044

Abstract: 本发明提供一种光源装置，该光源装置由包含等离子体的形成区域，在上述等离子体的形成区域中，通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室；和划分在上述等离子体形成室中的等离子体的形成区域的下端，透过上述发光的光学窗构成，在上述等离子体形成室内，形成有用于导入生成上述等离子体的微波的微波透过窗，而且，在上述微波透过窗的外侧设置有与上述微波窗结合、导入上述微波的微波天线。

公开(公告)号：CN101341582A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200780000830.2

申请日：2007-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  高桥伸明

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J65/044

Abstract: 本发明提供一种光源装置，该光源装置由包含等离子体的形成区域，在上述等离子体的形成区域中，通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室；和划分在上述等离子体形成室中的等离子体的形成区域的下端，透过上述发光的光学窗构成，在上述等离子体形成室内，形成有用于导入生成上述等离子体的微波的微波透过窗，而且，在上述微波透过窗的外侧设置有与上述微波窗结合、导入上述微波的微波天线。

公开(公告)号：CN112771647B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980065213.3

申请日：2019-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 高桥伸明 ,  三浦仁嗣 ,  根石浩司 ,  片山竜二 ,  森勇介 ,  今西正幸

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。

公开(公告)号：CN112771647A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980065213.3

申请日：2019-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 高桥伸明 ,  三浦仁嗣 ,  根石浩司 ,  片山竜二 ,  森勇介 ,  今西正幸

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。

公开(公告)号：CN1533590A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN02814418.X

申请日：2002-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井胜美 ,  高桥伸明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67754 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/68707

Abstract: 在晶盒站台(10)中将多个半导体晶片(W)收容在盒(CR)中。在处理部(18)中，将多个处理室(54)设置为多段。在晶盒站台(10)和处理部(18)之间，设置用于将多个半导体晶片以多段配置的状态暂时保留放置的基板多段配置部(14)。装载/卸载部(12)在晶盒站台(10)和基板多段配置部(14)之间每次运送一片半导体晶片。传送模块(16)在基板多段配置部(14)和处理部(18)之间以多段支持的状态同时运送多个半导体晶片。

公开(公告)号：CN101587301A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910118748.0

申请日：2009-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥伸明 ,  田内启士

IPC: G03F7/16 ,  B41J2/01

Abstract: 本发明提供一种能削减装置的设备成本和设置空间，使生产率和药液的使用效率提高的药液的涂敷固化装置。在将药液涂敷于被处理体(W)的表面并使其固化的涂敷固化装置(2)中，包括：具有利用外部搬送机构(70)对被处理体进行搬入搬出的搬入搬出口(10)的处理容器(4)；设置在处理容器内，载置被处理体的载置台(24)；打开关闭搬入搬出口的开闭闸门部(12)；设在搬入搬出口的外侧，将药液涂敷到被处理体的表面的涂敷机构(4)；和设在处理容器中，使涂敷在被处理体表面的药液固化而形成薄膜的固化单元(26)。由此能够在一体化装置中进行药液的涂敷机能和固化被涂敷的药液的固化机能，从而能削减装置的设备成本和设置空间。