公开(公告)号：CN100514575C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200680002218.4

申请日：2006-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井出真司 ,  大岛康弘 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/316 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种SiOCH膜的成膜方法，其特征在于，具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成SiOCH膜，所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积工序；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理工序。

公开(公告)号：CN1890785A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480035836.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  井出真司 ,  尾崎成则

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供一种可以充分地除去残渣有机物和自然氧化物，并且不对通孔的侧壁绝缘膜造成损伤，不对k值造成不良影响的半导体基板导电层表面的净化方法。将在半导体基板的导电层(1)的表面上形成绝缘膜(2、3)、并在绝缘膜(3)中形成将导电层(1)的一部分露出的通孔(4)的半导体装置搬入到反应容器内，在反应容器内产生含氢的等离子体、以将通孔(4)底部的导电层(1)上净化，利用灰化将残渣有机物(6)分解除去并将导电层(1)表面上的铜氧化膜(7)还原成铜。

公开(公告)号：CN100499030C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200480035836.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  井出真司 ,  尾崎成则

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供一种可以充分地除去残渣有机物和自然氧化物，并且不对通孔的侧壁绝缘膜造成损伤，不对k值造成不良影响的半导体基板导电层表面的净化方法。将在半导体基板的导电层(1)的表面上形成绝缘膜(2、3)、并在绝缘膜(3)中形成将导电层(1)的一部分露出的通孔(4)的半导体装置搬入到反应容器内，在反应容器内产生含氢的等离子体、以将通孔(4)底部的导电层(1)上净化，利用灰化将残渣有机物(6)分解除去并将导电层(1)表面上的铜氧化膜(7)还原成铜。

公开(公告)号：CN1836316A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023656.X

申请日：2004-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  星野聪彦 ,  井出真司 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。

公开(公告)号：CN101103447A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200680002218.4

申请日：2006-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井出真司 ,  大岛康弘 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/316 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种SiOCH膜的成膜方法，其特征在于，具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成SiOCH膜，所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积工序；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理工序。

公开(公告)号：CN101023513A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031296.2

申请日：2005-09-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井出真司 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31695

Abstract: 在等离子体处理装置(100)中，在基座(2)的上方配备有上侧板(60)和下侧板(61)。上侧板(60)和下侧板(61)由石英等耐热性绝缘体构成，并且相互离开规定的间隔，例如5mm，平行设置，具有多个贯通孔(60a)或(61a)。在重叠两片板的状态下，使它们错开位置形成，使得下侧板(61)的贯通孔(61a)和上侧板(60)的贯通孔(60a)不重合。

公开(公告)号：CN100573830C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580031296.2

申请日：2005-09-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井出真司 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31695

Abstract: 在等离子体处理装置(100)中，在基座(2)的上方配备有上侧板(60)和下侧板(61)。上侧板(60)和下侧板(61)由石英等耐热性绝缘体构成，并且相互离开规定的间隔，例如5mm，平行设置，具有多个贯通孔(60a)或(61a)。在重叠两片板的状态下，使它们错开位置形成，使得下侧板(61)的贯通孔(61a)和上侧板(60)的贯通孔(60a)不重合。

公开(公告)号：CN101436538A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810130334.5

申请日：2008-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  井出真司 ,  柏木勇作 ,  宫谷光太郎

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  C23C16/42 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的成膜方法和一种计算机可读的记录介质。对通过使用有机硅化合物原料的等离子体CVD法形成的SiOCH膜的表面进行氧等离子体处理，形成表面致密化层，进一步通过氢等离子体处理，将CHx基、OH基以被控制的速率从表面致密化层之下的SiOCH膜通过所述表面致密化层而排出，从而稳定地形成多孔质低介电常数膜。

公开(公告)号：CN100459062C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480023656.X

申请日：2004-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  星野聪彦 ,  井出真司 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。

公开(公告)号：CN101310370A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200780000097.4

申请日：2007-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  井出真司 ,  柏木勇作 ,  宫谷光太郎

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的成膜方法和一种计算机可读的记录介质。对通过使用有机硅化合物原料的等离子体CVD法形成的SiOCH膜的表面进行氧等离子体处理，形成表面致密化层，进一步通过氢等离子体处理，将CHx基、OH基以被控制的速率从表面致密化层之下的SiOCH膜通过所述表面致密化层而排出，从而稳定地形成多孔质低介电常数膜。