公开(公告)号：CN101919044A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980102558.8

申请日：2009-01-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有门经敏

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/75

Abstract: 公开的电容器包括：两个电极层；晶体电介质材料层，其位于所述两个电极层之间；以及非晶材料层，其位于所述两个电极层中的至少一个与所述晶体电介质材料层之间。

公开(公告)号：CN102007591A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201080001352.9

申请日：2010-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有门经敏 ,  贝塚考亘 ,  赤坂泰志 ,  荆凤德

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明通过提供一种电容器解决上述课题，所述电容器的特征在于，具有：由具有导电性的金属或金属化合物组成的下部电极层；在所述下部电极层上形成的由ZrO2组成的第一介电体膜；在所述第一介电体膜上形成的由具有含Ti的金属氧化物的介电体组成的第二介电体膜；以及，在所述第二介电体膜上形成的上部电极层。

公开(公告)号：CN101529571A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038899.4

申请日：2007-10-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吹上纪明 ,  加藤良裕 ,  有门经敏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法和半导体装置，其能够不对元件构造部造成损伤地除去侧壁隔离膜等。半导体装置的制造方法包括：在被处理基体(21)上形成由GeCOH或者GeCH构成的第一薄膜的工序；除去该第一薄膜的一部分，形成残留部(30)的工序；和通过已除去上述第一薄膜的空间，在上述被处理基体(21)上实施规定的处理的处理工序。