公开(公告)号：CN100472730C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200580045165.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盖尔·格伦 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  中村源志 ,  栉引理人 ,  新藤尚树 ,  清水昭贵 ,  芦垣繁雄 ,  加藤良裕

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述积层体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。

公开(公告)号：CN101107698A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580045165.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盖尔·格伦 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  中村源志 ,  栉引理人 ,  新藤尚树 ,  清水昭贵 ,  芦垣繁雄 ,  加藤良裕

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。