公开(公告)号：CN112542400A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010938557.5

申请日：2020-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新藤尚树 ,  桑岛亮 ,  户田聪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。[课题]使用属于β‑二酮的气体对形成于基板的金属膜进行蚀刻时，防止该基板的金属污染。[解决方案]构成一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具备：处理容器，其内部经排气且形成真空气氛、并且具有以由铝和添加金属形成的合金为母材的壁部；台，其设置于前述处理容器内、且用于载置在表面形成有金属膜的基板；气体供给部，其向前述台供给用于氧化前述金属膜的氧化气体、和属于β‑二酮的蚀刻气体，为了对氧化后的前述金属膜进行蚀刻而设置于前述处理容器；和，壁部用的加热部，其在从前述气体供给部向前述处理容器内供给前述蚀刻气体时，将前述壁部加热至60℃～90℃。

公开(公告)号：CN112542400B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202010938557.5

申请日：2020-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新藤尚树 ,  桑岛亮 ,  户田聪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。[课题]使用属于β‑二酮的气体对形成于基板的金属膜进行蚀刻时，防止该基板的金属污染。[解决方案]构成一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具备：处理容器，其内部经排气且形成真空气氛、并且具有以由铝和添加金属形成的合金为母材的壁部；台，其设置于前述处理容器内、且用于载置在表面形成有金属膜的基板；气体供给部，其向前述台供给用于氧化前述金属膜的氧化气体、和属于β‑二酮的蚀刻气体，为了对氧化后的前述金属膜进行蚀刻而设置于前述处理容器；和，壁部用的加热部，其在从前述气体供给部向前述处理容器内供给前述蚀刻气体时，将前述壁部加热至60℃～90℃。

公开(公告)号：CN117397013A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038707.4

申请日：2022-05-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中込洋平 ,  桑岛亮 ,  绿川洋平

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种基板处理装置，其对基板进行处理，其中，该基板处理装置具有：内侧腔室，其收容基板；外侧腔室，其设于所述内侧腔室的外侧；以及处理气体供给部，其向所述内侧腔室的内部供给处理气体，所述内侧腔室构成为相对于所述外侧腔室拆装自如，所述外侧腔室设为不与供给到所述内侧腔室的内部的所述处理气体接触。