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公开(公告)号：CN115410916A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210547963.8
申请日：2022-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，能够在存在氮化钛、以及钼或钨的基板上抑制钼或钨中的孔蚀的产生并蚀刻氮化钛膜。蚀刻方法包括以下步骤：准备存在氮化钛、以及钼或钨的基板；以及向基板供给含有ClF3气体和N2气体的处理气体，来蚀刻氮化钛。在蚀刻中，使处理气体的ClF3气体与N2气体的分压比成为使Mo或W的晶粒间界氮化到抑制孔蚀的产生的程度的值。
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