公开(公告)号：CN110581067B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910471001.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  菊岛悟 ,  中込健 ,  小泽淑惠 ,  林军

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

公开(公告)号：CN108231555A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711287216.0

申请日：2017-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 黄祖虹 ,  林军 ,  折居武彦

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/033 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和基板处理系统。该蚀刻方法能够防止从基板制造的器件受到损伤。对在表层形成有氧化硅膜(32)的晶圆(W)实施去除该氧化硅膜(32)的第1突破处理，在第1突破处理之后实施对多晶硅层(31)进行蚀刻的第1主蚀刻处理，在第1主蚀刻处理之后实施将暴露的氧化硅膜(32)去除的第2突破处理，在第2突破处理之后实施对剩余的多晶硅层(31)进行蚀刻的第2主蚀刻处理。

公开(公告)号：CN110504165B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910375455.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  浅田泰生 ,  林军 ,  萩原彩乃 ,  入江伸次 ,  田内启士 ,  和田翔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。

公开(公告)号：CN110581067A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910471001.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  菊岛悟 ,  中込健 ,  小泽淑惠 ,  林军

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供在不发生基于反应产物的蚀刻抑制的情况下能够以高选择比对基板上的材料进行化学蚀刻的蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的蚀刻方法具备如下工序：在腔室内设置基板的工序，该基板具有硅氧化物系材料和其它材料，且硅氧化物系材料具有蚀刻对象部位，蚀刻对象部位具有10nm以下的宽度、并且具有10以上的深宽比；将HF气体及含OH气体供给至基板，相对于其它材料选择性地对蚀刻对象部位进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN110504165A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910375455.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  浅田泰生 ,  林军 ,  萩原彩乃 ,  入江伸次 ,  田内启士 ,  和田翔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。

公开(公告)号：CN113675080A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110498711.6

申请日：2021-05-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  菊岛悟 ,  须贺隆之 ,  林军 ,  朱澄亚

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期间的至少一部分不与第一期间重叠；以及对通过供给碱性气体和含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。

公开(公告)号：CN106409656B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201610599442.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 林军 ,  竹谷考司 ,  立花光博 ,  八尾章史 ,  山内邦裕 ,  宫崎达夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β‑二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β‑二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN106409656A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610599442.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 林军 ,  竹谷考司 ,  立花光博 ,  八尾章史 ,  山内邦裕 ,  宫崎达夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/31122

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β-二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β-二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN108231555B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201711287216.0

申请日：2017-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 黄祖虹 ,  林军 ,  折居武彦

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和基板处理系统。该蚀刻方法能够防止从基板制造的器件受到损伤。对在表层形成有氧化硅膜(32)的晶圆(W)实施去除该氧化硅膜(32)的第1突破处理，在第1突破处理之后实施对多晶硅层(31)进行蚀刻的第1主蚀刻处理，在第1主蚀刻处理之后实施将暴露的氧化硅膜(32)去除的第2突破处理，在第2突破处理之后实施对剩余的多晶硅层(31)进行蚀刻的第2主蚀刻处理。