公开(公告)号：CN113675080A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110498711.6

申请日：2021-05-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  菊岛悟 ,  须贺隆之 ,  林军 ,  朱澄亚

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期间的至少一部分不与第一期间重叠；以及对通过供给碱性气体和含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。

公开(公告)号：CN120072642A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510126646.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  菊岛悟 ,  须贺隆之 ,  林军 ,  朱澄亚

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期间的至少一部分不与第一期间重叠；以及对通过供给碱性气体和含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。