公开(公告)号：CN110504165B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910375455.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  浅田泰生 ,  林军 ,  萩原彩乃 ,  入江伸次 ,  田内启士 ,  和田翔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。

公开(公告)号：CN110504165A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910375455.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  浅田泰生 ,  林军 ,  萩原彩乃 ,  入江伸次 ,  田内启士 ,  和田翔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。