公开(公告)号：CN115483098A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210647736.2

申请日：2022-06-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  中込健

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，使蚀刻后的含锗膜的形状成为期望的形状。所述蚀刻方法包括以下工序：将基板保存到处理容器内的工序，所述基板具备由是含锗膜的侧壁构成的凹部；蚀刻工序，向所述处理容器内供给包含第一含氟气体和第二含氟气体的蚀刻气体，来对所述侧壁进行蚀刻；以及形状控制工序，其包含于所述蚀刻工序，在该形状控制工序中，调整该处理容器内的所述第一含氟气体的分压或者向所述处理容器内供给的所述第二含氟气体相对于该第一含氟气体的流量的比例，来控制蚀刻后的所述侧壁的形状。

公开(公告)号：CN110581067A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910471001.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  菊岛悟 ,  中込健 ,  小泽淑惠 ,  林军

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供在不发生基于反应产物的蚀刻抑制的情况下能够以高选择比对基板上的材料进行化学蚀刻的蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的蚀刻方法具备如下工序：在腔室内设置基板的工序，该基板具有硅氧化物系材料和其它材料，且硅氧化物系材料具有蚀刻对象部位，蚀刻对象部位具有10nm以下的宽度、并且具有10以上的深宽比；将HF气体及含OH气体供给至基板，相对于其它材料选择性地对蚀刻对象部位进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN110581067B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910471001.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  菊岛悟 ,  中込健 ,  小泽淑惠 ,  林军

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67