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公开(公告)号：CN117916672A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061197.2
申请日：2022-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/36 , G03F7/32 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 一种微制造方法包括在半导体晶片的工作表面上沉积光致抗蚀剂膜，该光致抗蚀剂膜对极紫外辐射敏感；将该光致抗蚀剂膜暴露于极紫外辐射模式；对该光致抗蚀剂膜进行混合显影。该混合显影包括执行第一显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第一部分；在该第一显影工艺之后停止该光致抗蚀剂膜的显影，停止后该光致抗蚀剂膜包括具有比目标临界尺寸大的第一临界尺寸的结构；以及在停止该显影之后，执行第二显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第二部分并且使该结构的临界尺寸从该第一临界尺寸缩小到比该第一临界尺寸小的第二临界尺寸。
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公开(公告)号：CN108073050B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201711144518.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种在曝光基片的整个表面的曝光装置中，能够高精度地控制基片的面内的各部的曝光量的技术。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
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公开(公告)号：CN106030417A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009168.1
申请日：2015-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通过曝光产生光增感剂和酸的成分。上述成分仅含有(a)酸‑光增感剂产生剂、(b)光增感剂前体及(c)光酸产生剂这3种成分中的(a)成分，或者含有其中的任意2种成分，或者含有(a)～(c)成分的全部。
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公开(公告)号：CN117940853A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061766.3
申请日：2022-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明公开了一种形成抗蚀图案的方法，其依次包括：对含有抗蚀材料的抗蚀膜的一部分照射第一射线的步骤；对抗蚀膜进行烘烤的步骤；对抗蚀膜中包括照射了第一射线的部分以及此外的部分的全部区域整体照射第二射线的步骤；和通过显影将抗蚀膜的一部分除去来形成抗蚀图案的步骤。
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公开(公告)号：CN111562720B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010075147.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: G03F7/004 , C07C303/32 , C07C309/07 , C07C381/12 , C08F220/14 , C08F220/22 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F1/20 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通过曝光产生光增感剂和酸的成分。上述成分仅含有(a)酸‑光增感剂产生剂、(b)光增感剂前体及(c)光酸产生剂这3种成分中的(a)成分，或者含有其中的任意2种成分，或者含有(a)～(c)成分的全部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108205242B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201711381750.8
申请日：2017-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种在利用多个发光区块形成带状的照射区域来对基片进行光处理时，能够将照射区域的长度方向的照度分布模式容易地高精度地调节到目标照度分布模式的技术。按每个发光区块(42)事先取得将照射区域的长度方向的位置与驱动电流的变化量引起的照度的变化量相对应的照度分布模式分布图的变化量即照度分布响应量，并将其存储到存储部中。而且，设置有运算处理部，其为了使照射区域的当前的长度方向的照度分布模式接近目标照度分布模式，基于发光区块(42)各自当前的电流指令值和存储于各发光区块的上述照度分布模式的变化量，求取(推算)各发光区块的电流指令值。
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公开(公告)号：CN108073049A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711142462.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70208 , G03F7/70133 , G03F7/70391 , G03F7/70516 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70725 , G03F7/70775 , G03F7/7085 , G03F7/70491
Abstract: 本发明提供一种曝光装置、曝光装置的调整方法以及存储介质。在对基板的表面整体曝光的曝光装置中，能够对基板面内的各部以适当的曝光量进行曝光。曝光装置具备：载置部，其用于载置基板；多个光照射部，所述多个光照射部分别独立地向所述基板的表面的左右方向上的互不相同的位置照射光来形成从所述基板的表面的一端至另一端的带状的照射区域；载置部用移动机构，其使所述载置部相对于所述照射区域沿前后方向相对地移动以对所述基板的表面整体曝光；以及受光部，其以在该照射区域的一端部与另一端部之间移动的方式接收光以检测所述照射区域的长边方向上的照度分布。通过这种结构，能够防止因所述照度分布异常而导致基板的各部的曝光量异常。
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公开(公告)号：CN120019332A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072042.3
申请日：2023-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/004 , G03F7/30 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种基片处理方法，包括：使用极性显影材料和非极性显影材料，对形成了负型的含金属抗蚀剂的覆膜、并进行了曝光处理及所述曝光处理后的加热处理的基片进行显影的工序。
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公开(公告)号：CN111562720A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010075147.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: G03F7/004 , C07C303/32 , C07C309/07 , C07C381/12 , C08F220/14 , C08F220/22 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F1/20 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通过曝光产生光增感剂和酸的成分。上述成分仅含有(a)酸-光增感剂产生剂、(b)光增感剂前体及(c)光酸产生剂这3种成分中的(a)成分，或者含有其中的任意2种成分，或者含有(a)～(c)成分的全部。
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公开(公告)号：CN106030417B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201580009168.1
申请日：2015-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通过曝光产生光增感剂和酸的成分。上述成分仅含有(a)酸‑光增感剂产生剂、(b)光增感剂前体及(c)光酸产生剂这3种成分中的(a)成分，或者含有其中的任意2种成分，或者含有(a)～(c)成分的全部。
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