公开(公告)号：CN117916672A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280061197.2

申请日：2022-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 史蒂文·格热希科维亚克 ,  利奥尔·胡利 ,  安热利克·雷利 ,  丁公桂 ,  村松诚 ,  永原诚司

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/32 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 一种微制造方法包括在半导体晶片的工作表面上沉积光致抗蚀剂膜，该光致抗蚀剂膜对极紫外辐射敏感；将该光致抗蚀剂膜暴露于极紫外辐射模式；对该光致抗蚀剂膜进行混合显影。该混合显影包括执行第一显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第一部分；在该第一显影工艺之后停止该光致抗蚀剂膜的显影，停止后该光致抗蚀剂膜包括具有比目标临界尺寸大的第一临界尺寸的结构；以及在停止该显影之后，执行第二显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第二部分并且使该结构的临界尺寸从该第一临界尺寸缩小到比该第一临界尺寸小的第二临界尺寸。