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公开(公告)号：CN117850175A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311251986.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/38
Abstract: 本发明提供能够抑制含金属抗蚀剂的覆膜的灵敏度降低，并且提高含金属抗蚀剂的图案的粗糙度的基片处理方法、基片处理装置和计算机存储介质。本发明的基片处理方法包括：对形成有含金属抗蚀剂的覆膜并实施了曝光处理的基片实施第一加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使所述含金属抗蚀剂前体化的步骤；之后，对所述基片实施第二加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使前体化了的所述含金属抗蚀剂缩合的步骤；和之后，对所述基片实施显影处理的步骤。
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公开(公告)号：CN106415803B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201480073914.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 艾恩华·罗莫·内格雷拉 , 凯瑟琳·那夫斯 , 桑原雄平 , 松永浩一
IPC: H01L21/56 , H01L21/324
Abstract: 本公开内容涉及一种用于利用分子自组装(MSA)化学品旋涂基底以在基底上形成光致抗蚀剂膜和/或低介电常数(低k)膜的处理系统。旋涂处理系统可以包括能够将MSA化学品接收和旋涂在基底上的旋涂室，以及以在旋涂工艺之后对基底进行热处理的退火室。在某些实施方案中，旋涂处理系统还可以在旋涂工艺之前对基底进行预处理或预润湿。
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公开(公告)号：CN106415803A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480073914.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 艾恩华·罗莫·内格雷拉 , 凯瑟琳·那夫斯 , 桑原雄平 , 松永浩一
IPC: H01L21/56 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/3105
Abstract: 本公开内容涉及一种用于利用分子自组装(MSA)化学品旋涂基底以在基底上形成光致抗蚀剂膜和/或低介电常数(低k)膜的处理系统。旋涂处理系统可以包括能够将MSA化学品接收和旋涂在基底上的旋涂室，以及以在旋涂工艺之后对基底进行热处理的退火室。在某些实施方案中，旋涂处理系统还可以在旋涂工艺之前对基底进行预处理或预润湿。
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