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公开(公告)号：CN115280470B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202180021355.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 提供一种在对表面形成有通过与水反应并被加热而曝光部或未曝光部的相对于显影液的溶解性发生变化的已曝光的抗蚀膜的基板进行热处理时能够促进该溶解性的变化的技术。因此，热处理装置具备：载置台(23)，其用于载置并加热所述基板(W)；升降机构(26)，其使所述基板(W)在被载置于所述载置台(23)的第一位置与远离该载置台的第二位置之间相对地升降；以及气体供给部(33)，其对向所述第一位置移动之前的、位于所述第二位置的所述基板(W)供给第一气体，所述第一气体的湿度比设置有所述载置台(23)的气氛的湿度高。
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公开(公告)号：CN111463147B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010026794.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
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公开(公告)号：CN112289701A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010667579.2
申请日：2020-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐野要平
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种热处理装置和热处理方法。对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基片进行热处理的热处理装置即热处理单元(U8)包括：能够支承并加热基片的加热板(21)；覆盖加热板(21)上的处理空间(S)的腔室(41)；在腔室(41)内，从上方朝向加热板上的基片释放处理用气体的气体释放部(50)；在腔室(41)内，从比基片的表面靠下方的位置向腔室内供给气体的气体供给部即气体流路(81)；和排气机构(70)，其经由设置在处理空间(S)的上方且具有朝向下方的开口的排气孔(71)，对腔室内进行排气。根据本发明，能够抑制来自基片上的覆膜的升华物的飞散。
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公开(公告)号：CN110364459A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910287505.3
申请日：2019-04-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制伴随利用含金属覆膜而产生的金属污染。基板处理装置具备：成膜部，其构成为在基板的表面形成含有金属的覆膜；覆膜清洗部，其构成为对基板的周缘部的覆膜进行清洗；以及控制部。控制部执行以下控制：控制成膜部，以在基板的表面形成覆膜；控制覆膜清洗部，以向基板的周缘部的第一位置供给具有使覆膜溶解的功能的第一药液；以及控制覆膜清洗部，以在被第一药液溶解了的覆膜干燥之后向基板的周缘部的第二位置供给具有使覆膜溶解的功能的第二药液，所述第二位置是比第一位置更靠基板的周缘侧的位置。
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公开(公告)号：CN110364459B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910287505.3
申请日：2019-04-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制伴随利用含金属覆膜而产生的金属污染。基板处理装置具备：成膜部，其构成为在基板的表面形成含有金属的覆膜；覆膜清洗部，其构成为对基板的周缘部的覆膜进行清洗；以及控制部。控制部执行以下控制：控制成膜部，以在基板的表面形成覆膜；控制覆膜清洗部，以向基板的周缘部的第一位置供给具有使覆膜溶解的功能的第一药液；以及控制覆膜清洗部，以在被第一药液溶解了的覆膜干燥之后向基板的周缘部的第二位置供给具有使覆膜溶解的功能的第二药液，所述第二位置是比第一位置更靠基板的周缘侧的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118011737A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410235210.2
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
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公开(公告)号：CN111554571A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010079118.3
申请日：2020-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐野要平
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , G03F7/16
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括对基片进行热处理的热处理单元，其中，基片形成有含金属抗蚀剂的覆膜且已对该覆膜实施了曝光处理。热处理单元包括：支承基片并对其进行加热的热板；覆盖热板上的处理空间的腔室；在腔室内从上方向热板上的基片释放含有水分的气体的气体释放部；从处理空间的外周对腔室内进行排气的排气部；和设置于腔室的用于加热腔室的加热器。本发明对使用了含金属抗蚀剂的抗蚀剂图案的品质的稳定性是有效的。
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公开(公告)号：CN118173476A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410332699.5
申请日：2020-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐野要平
IPC: H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/16
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括对基片进行热处理的热处理单元，其中，基片形成有含金属抗蚀剂的覆膜且已对该覆膜实施了曝光处理。热处理单元包括：支承基片并对其进行加热的热板；覆盖热板上的处理空间的腔室；在腔室内从上方向热板上的基片释放含有水分的气体的气体释放部；从处理空间的外周对腔室内进行排气的排气部；和设置于腔室的用于加热腔室的加热器。本发明对使用了含金属抗蚀剂的抗蚀剂图案的品质的稳定性是有效的。
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公开(公告)号：CN108183068B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711293037.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。
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公开(公告)号：CN115280470A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180021355.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 提供一种在对表面形成有通过与水反应并被加热而曝光部或未曝光部的相对于显影液的溶解性发生变化的已曝光的抗蚀剂的基板进行热处理时能够促进该溶解性的变化的技术。因此，热处理装置具备：载置台(23)，其用于载置并加热所述基板(W)；升降机构(26)，其使所述基板(W)在被载置于所述载置台(23)的第一位置与远离该载置台的第二位置之间相对地升降；以及气体供给部(33)，其对向所述第一位置移动之前的、位于所述第二位置的所述基板(W)供给第一气体，所述第一气体的湿度比设置有所述载置台(23)的气氛的湿度高。
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