-
公开(公告)号：CN116964715A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280019898.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成EUV用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。
Search Results
1
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
