-
公开(公告)号：CN116313886A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211594807.3
申请日：2022-12-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , B32B38/10
摘要： 本发明提供能够不对基片的正面侧进行不需要的处理，而在该基片的整个背面进行光照射将有机物除去的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：基片保持部，其能够以与基片的背面局部地重叠的方式保持所述基片；光照射部，其能够对所述基片的背面照射光，来将所述背面的有机物除去；在所述基片的背面侧与该背面隔开间隔地设置的遮光部件，其能够防止所述光被供给到所述基片的正面；和保持位置改变机构，其能够改变所述基片的背面的由所述基片保持部保持的位置，来对所述基片的整个背面照射光。
-
公开(公告)号：CN110783231B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910700630.2
申请日：2019-07-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/027 , H01L21/033
摘要： 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备：光照射部(30)，其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的照射区域(A1)内照射处理用的光；驱动部(15)，其使照射区域(A1)在沿着晶圆(W)的表面(Wa)的平面内沿彼此交叉的两个方向移动；以及控制器(100)，其控制驱动部(15)，使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动，该移动图案是以向处理对象区域(TA)的整个区域照射光的方式设定的图案。
-
公开(公告)号：CN110098121A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910085503.6
申请日：2019-01-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3105
摘要： 本公开提供灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质，能够提高通过灰化得到的覆膜去除量的面内均匀性。灰化装置具备：光照射部，其构成为对表面形成有有机覆膜的基板照射用于使有机覆膜灰化的处理光；姿势变更部，其构成为驱动基板和光照射部中的至少一方来变更基板相对于光照射部的姿势；以及控制部。控制部执行第一处理以及在第一处理之后执行第二处理，在第一处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第一姿势变化为第二姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光，在第二处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第三姿势变化为第四姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光。
-
公开(公告)号：CN109786286A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811344240.8
申请日：2018-11-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/311
摘要： 本发明提供一种对提高在基片的表面形成的有机覆膜的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置，基片处理装置(1)包括：保持晶片(W)并使该晶片旋转的旋转保持部(30)，上述晶片在表面(Wa)具有有机覆膜；向晶片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照射部(40)；以使气流能够通过晶片与光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部(114)，其控制光照射部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流的状态下向晶片的表面照射上述光；和旋转控制部(115)，其控制旋转保持部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流、光照射部向晶片的表面照射上述光的状态下，使晶片旋转。
-
公开(公告)号：CN105206526B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510350188.7
申请日：2015-06-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上，对涂敷在基板(W)上的原料进行加热而形成被处理膜。接着，将形成有被处理膜的基板(W)配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室(61)内并对该基板(W)照射紫外线而将被处理膜的一部分去除。
-
公开(公告)号：CN105206526A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510350188.7
申请日：2015-06-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67069 , B05C11/08 , B05C11/1002 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/31058 , H01L21/311 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/68742
摘要： 本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上，对涂敷在基板(W)上的原料进行加热而形成被处理膜。接着，将形成有被处理膜的基板(W)配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室(61)内并对该基板(W)照射紫外线而将被处理膜的一部分去除。
-
公开(公告)号：CN110098121B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910085503.6
申请日：2019-01-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3105
摘要： 本公开提供灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质，能够提高通过灰化得到的覆膜去除量的面内均匀性。灰化装置具备：光照射部，其构成为对表面形成有有机覆膜的基板照射用于使有机覆膜灰化的处理光；姿势变更部，其构成为驱动基板和光照射部中的至少一方来变更基板相对于光照射部的姿势；以及控制部。控制部执行第一处理以及在第一处理之后执行第二处理，在第一处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第一姿势变化为第二姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光，在第二处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第三姿势变化为第四姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光。
-
公开(公告)号：CN108364885B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810071893.7
申请日：2018-01-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够进一步提高由能量线照射进行的处理的进展度的均匀性的基片处理装置。基片处理装置包括：收纳晶片(W)的处理室(PR)；加热处理室内的晶片的热板(41)；向处理室内的晶片照射处理用的能量线的光源(31)；绕与处理室内的晶片相交的轴线使该晶片或光源旋转的旋转驱动部(60)；开闭机构(70)，其切换使气流从处理室外流通到处理室内及从处理室内流通到处理室外的开状态和将该气流切断的闭状态；和控制部(100)，其执行：控制开闭机构以切换开状态和闭状态的处理；与开闭机构将开状态切换为闭状态的情形同步地使光源的射出光量增加的处理；和与开闭机构将闭状态切换为开状态的情形同步地使光源的射出光量减少的处理。
-
公开(公告)号：CN110783231A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910700630.2
申请日：2019-07-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/027 , H01L21/033
摘要： 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备：光照射部(30)，其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的照射区域(A1)内照射处理用的光；驱动部(15)，其使照射区域(A1)在沿着晶圆(W)的表面(Wa)的平面内沿彼此交叉的两个方向移动；以及控制器(100)，其控制驱动部(15)，使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动，该移动图案是以向处理对象区域(TA)的整个区域照射光的方式设定的图案。
-
公开(公告)号：CN108364885A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810071893.7
申请日：2018-01-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67115 , B05C11/08 , B05C11/1002 , H01L21/0231 , H01L21/0271 , H01L21/31138 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/67739 , H01L21/68742 , H01L21/68757 , H01L21/67069
摘要： 本发明提供一种能够进一步提高由能量线照射进行的处理的进展度的均匀性的基片处理装置。基片处理装置包括：收纳晶片(W)的处理室(PR)；加热处理室内的晶片的热板(41)；向处理室内的晶片照射处理用的能量线的光源(31)；绕与处理室内的晶片相交的轴线使该晶片或光源旋转的旋转驱动部(60)；开闭机构(70)，其切换使气流从处理室外流通到处理室内及从处理室内流通到处理室外的开状态和将该气流切断的闭状态；和控制部(100)，其执行：控制开闭机构以切换开状态和闭状态的处理；与开闭机构将开状态切换为闭状态的情形同步地使光源的射出光量增加的处理；和与开闭机构将闭状态切换为开状态的情形同步地使光源的射出光量减少的处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.033 秒)
