灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质

发明公开

CN110098121A 灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质审中-实审

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专利标题： 灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质
专利标题（英）： ASHING APPARATUS ASHING METHOD AND RECORDING MEDIUM
申请号： CN201910085503.6

申请日： 2019-01-29
公开(公告)号： CN110098121A

公开(公告)日： 2019-08-06
发明人: 鬼海贵也 , 大石雄三
申请人： 东京毅力科创株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
代理商 刘新宇
优先权： 2018-012256 2018.01.29 JP
主分类号： H01L21/3105
IPC分类号： H01L21/3105

摘要：

本公开提供灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质，能够提高通过灰化得到的覆膜去除量的面内均匀性。灰化装置具备：光照射部，其构成为对表面形成有有机覆膜的基板照射用于使有机覆膜灰化的处理光；姿势变更部，其构成为驱动基板和光照射部中的至少一方来变更基板相对于光照射部的姿势；以及控制部。控制部执行第一处理以及在第一处理之后执行第二处理，在第一处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第一姿势变化为第二姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光，在第二处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第三姿势变化为第四姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光。

摘要（英）：

The invention provides an ashing apparatus, an ashing method, and a computer readable recording medium. The in-plane uniformity of a film removal amount obtained by ashing can be improved. The ashingapparatus includes a light irradiating unit configured to irradiate, to a substrate having an organic film formed on a surface thereof, processing light for ashing the organic film; a posture changingunit configured to change a posture of the substrate with respect to the light irradiating unit; and a control unit. The control unit performs: a first processing of controlling the posture changingunit and the light irradiating unit to irradiate the processing light to the surface of the substrate while changing the posture of the substrate from a first posture to a second posture; and a secondprocessing of controlling, after the first processing, the posture changing unit and the light irradiating unit to irradiate the processing light to the surface of the substrate while changing the posture of the substrate from a third posture different from the first posture to a fourth posture.

公开/授权文献

CN110098121B 灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质公开/授权日：2024-06-04

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理