公开(公告)号：CN107180775B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201710337989.9

申请日：2012-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中原田雅弘 ,  酒田洋司 ,  宫田亮 ,  林伸一 ,  榎木田卓 ,  中岛常长

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供基板处理系统和基板搬送方法。在具有处理站(3)和交接站(5)的涂敷显影处理系统中，交接站(5)具有：在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元(141)、至少对清洗后的晶片的背面，在搬入到曝光装置之前检查能否进行该晶片的曝光的晶片检查单元(101)、具有在清洗单元(141)和检查单元(142)之间搬送晶片的臂的晶片搬送装置(120)。清洗单元(141)和检查单元(142)在交接站(5)的正面侧，在上下方向设置有多层，晶片搬送装置(120)设置于与清洗单元(141)和检查单元(142)相邻的区域。

公开(公告)号：CN113363193A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110231949.2

申请日：2021-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 酒田洋司 ,  土山正志 ,  渡边刚史

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。使基板处理装置得到较高的生产率并减小占地面积。该装置包括：第1单位模块，其包括第1基板输送区域、分别设为面向第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧的第1处理组件、第2处理组件、分别设于第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧且分别用于向第1处理组件、第2处理组件交接基板的第1输送机构、第2输送机构；第2单位模块，其包括第2基板输送区域和第3输送机构，与第1单位模块层叠；基板送入送出模块，其相对于单位模块的层叠体设于左右的一侧，分别向第1输送机构、第3输送机构交接基板；中继模块，其相对于单位模块的层叠体设于左右的另一侧，分别向第2输送机构、第3输送机构交接基板。

公开(公告)号：CN103094164B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210435430.7

申请日：2012-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中原田雅弘 ,  酒田洋司 ,  宫田亮 ,  林伸一 ,  榎木田卓 ,  中岛常长

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  G03F7/70691 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6875 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法。涂敷显影处理系统的交接站（5）具有：将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元（141）、至少对清洗后的晶片的背面在其被搬入到曝光装置之前检查该晶片能否在曝光装置中进行曝光的晶片检查单元（142）、具有在各单元（141、142）之间搬送基板的臂的晶片搬送装置（120、130）和控制晶片搬送装置（120、130）的动作的晶片搬送控制部。晶片搬送控制部控制晶片搬送装置（120、130），使得当检查的结果被判断为，晶片的状态是通过由清洗单元（141）再清洗成为能够曝光的状态时，再次将该晶片搬送到清洗单元（141）。

公开(公告)号：CN103094164A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210435430.7

申请日：2012-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中原田雅弘 ,  酒田洋司 ,  宫田亮 ,  林伸一 ,  榎木田卓 ,  中岛常长

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  G03F7/70691 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6875 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法。涂敷显影处理系统的交接站（5）具有：将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元（141）、至少对清洗后的晶片的背面在其被搬入到曝光装置之前检查该晶片能否在曝光装置中进行曝光的晶片检查单元（142）、具有在各单元（141、142）之间搬送基板的臂的晶片搬送装置（120、130）和控制晶片搬送装置（120、130）的动作的晶片搬送控制部。晶片搬送控制部控制晶片搬送装置（120、130），使得当检查的结果被判断为，晶片的状态是通过由清洗单元（141）再清洗成为能够曝光的状态时，再次将该晶片搬送到清洗单元（141）。

公开(公告)号：CN103094160A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210436221.4

申请日：2012-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中原田雅弘 ,  酒田洋司 ,  宫田亮 ,  林伸一 ,  榎木田卓 ,  中岛常长

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67046 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供基板处理系统和基板搬送方法。在具有处理站（3）和交接站（5）的涂敷显影处理系统中，交接站（5）具有：在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元（141）、至少对清洗后的晶片的背面，在搬入到曝光装置之前检查能否进行该晶片的曝光的晶片检查单元（101）、具有在清洗单元（141）和检查单元（142）之间搬送晶片的臂的晶片搬送装置（120）。清洗单元（141）和检查单元（142）在交接站（5）的正面侧，在上下方向设置有多层，晶片搬送装置（120）设置于与清洗单元（141）和检查单元（142）相邻的区域。

公开(公告)号：CN118380359A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410046194.2

申请日：2024-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 酒田洋司 ,  香月信吾 ,  藤瀬辽平 ,  松山健一郎 ,  高木慎介 ,  岩城浩之 ,  只友浩贵 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。

公开(公告)号：CN113675110A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110495346.3

申请日：2021-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上山昇太 ,  丸山光昭 ,  大薗启 ,  中岛清次 ,  酒田洋司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。使基板处理装置的生产率提高。基板处理装置具备：基板出入部；第1群组的处理部，其对第1状态的基板进行一系列的处理；第2群组的处理部，其对第1状态的基板进行与由第1群组的处理部进行的一系列的处理同样的一系列的处理；第1输送部，其从基板出入部向第1群组的处理部输送第1状态的基板，并从第1群组的处理部向基板出入部输送利用第1群组的处理部而成为了第2状态的基板；以及第2输送部，其从基板出入部向第2群组的处理部输送第1状态的基板，并从第2群组的处理部向基板出入部输送利用第2群组的处理部而成为了第2状态的基板。

公开(公告)号：CN107180775A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710337989.9

申请日：2012-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中原田雅弘 ,  酒田洋司 ,  宫田亮 ,  林伸一 ,  榎木田卓 ,  中岛常长

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供基板处理系统和基板搬送方法。在具有处理站(3)和交接站(5)的涂敷显影处理系统中，交接站(5)具有：在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元(141)、至少对清洗后的晶片的背面，在搬入到曝光装置之前检查能否进行该晶片的曝光的晶片检查单元(101)、具有在清洗单元(141)和检查单元(142)之间搬送晶片的臂的晶片搬送装置(120)。清洗单元(141)和检查单元(142)在交接站(5)的正面侧，在上下方向设置有多层，晶片搬送装置(120)设置于与清洗单元(141)和检查单元(142)相邻的区域。

公开(公告)号：CN118818893A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410434702.4

申请日：2024-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木慎介 ,  只友浩贵 ,  酒田洋司 ,  鬼塚智也 ,  柴田直树

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、基板处理装置以及基板处理方法，使通过含金属的抗蚀膜的形成、曝光以及显影等处理形成的图案的线宽在基板组之间均匀化。基板处理系统对基板进行图案形成，所述基板处理系统由被依次搬送用于收容所述基板的搬送容器的多个装置构成，所述基板处理系统具备：第一装置，其构成所述多个装置中的一个装置，用于在所述基板形成含金属的抗蚀膜；第二装置，其构成所述多个装置中的另一个装置，用于对被进行了曝光的所述含金属的抗蚀膜进行显影；以及气氛调整部，其将被进行显影之前的、形成有所述含金属的抗蚀膜的多个所述基板收容于收容空间，并对所述收容空间的气氛进行调整，以调整各所述基板的含金属的抗蚀膜的反应进度。

公开(公告)号：CN118655748A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410261516.5

申请日：2024-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山健一郎 ,  只友浩贵 ,  酒田洋司 ,  高木慎介

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供能够抑制在基片上形成的含金属抗蚀剂膜的变质的基片输送方法和基片输送装置。本发明的基片输送方法包括：待机步骤，在将形成有含金属抗蚀剂膜的基片从第一载置部向第二载置部输送的输送路径中，与所述输送路径中的异常相应地，不将所述基片向所述第二载置部输送，而将所述基片输送到形成有与所述第一载置部的第一气氛不同的第二气氛的待机室以使所述基片在该第二气氛中待机。