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公开(公告)号：CN112687575A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011077353.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/16
Abstract: 本发明提供高效地回收升华物并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的一个方面的热处理装置包括：对形成有覆膜的基片实施热处理的热处理单元；和控制热处理单元的控制单元。上述热处理单元包括：支承并加热基片的加热部；罩住支承于加热部的基片的腔室；具有形成有多个释放孔的释放头部的气体释放部，其从多个释放孔向该基片的表面释放气体，其中多个释放孔分散地设置在与支承于加热部的基片相对的面上；外周排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠外侧的外周区域对腔室内的处理空间进行排气；和中心排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠内侧的中心区域对处理空间进行排气。
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公开(公告)号：CN112185847A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010592474.5
申请日：2020-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种加热处理装置以及加热处理方法。抑制在对基板进行加热时产生的升华物所带来的不良影响。一种加热处理装置，其在处理容器内对形成有涂布膜的基板进行加热，该加热处理装置具有：载置部，其设于所述处理容器内，用于载置所述基板；加热部，其用于对载置于所述载置部的基板进行加热；抽吸管，其与形成于所述载置部的抽吸口相通，贯穿所述载置部并向正下方延伸；以及收集容器，其设于所述抽吸管和抽吸机构之间的抽吸路径，所述收集容器构成为，设于俯视时所述载置部的正下方，与所述抽吸管连接，用于收集所述处理容器内的升华物。
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公开(公告)号：CN118380359A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410046194.2
申请日：2024-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。
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公开(公告)号：CN118377198A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410061551.2
申请日：2024-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/38
Abstract: 本发明提供基片处理方法、基片处理装置和计算机存储介质，能够得到含金属的抗蚀剂的良好的图案。包括对形成有含金属的抗蚀剂的覆膜且实施了曝光处理和上述曝光处理后的加热处理的基片进行显影的工序，上述显影的工序包括：在大气压以上的压力下使上述基片暴露于酸性气氛中的工序，其中，上述酸性气氛是含有弱酸气体的气氛；和对上述基片加热来除去因上述含金属的抗蚀剂与上述弱酸气体的反应而产生的生成物的工序。
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公开(公告)号：CN118818893A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410434702.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、基板处理装置以及基板处理方法，使通过含金属的抗蚀膜的形成、曝光以及显影等处理形成的图案的线宽在基板组之间均匀化。基板处理系统对基板进行图案形成，所述基板处理系统由被依次搬送用于收容所述基板的搬送容器的多个装置构成，所述基板处理系统具备：第一装置，其构成所述多个装置中的一个装置，用于在所述基板形成含金属的抗蚀膜；第二装置，其构成所述多个装置中的另一个装置，用于对被进行了曝光的所述含金属的抗蚀膜进行显影；以及气氛调整部，其将被进行显影之前的、形成有所述含金属的抗蚀膜的多个所述基板收容于收容空间，并对所述收容空间的气氛进行调整，以调整各所述基板的含金属的抗蚀膜的反应进度。
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公开(公告)号：CN118655748A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410261516.5
申请日：2024-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供能够抑制在基片上形成的含金属抗蚀剂膜的变质的基片输送方法和基片输送装置。本发明的基片输送方法包括：待机步骤，在将形成有含金属抗蚀剂膜的基片从第一载置部向第二载置部输送的输送路径中，与所述输送路径中的异常相应地，不将所述基片向所述第二载置部输送，而将所述基片输送到形成有与所述第一载置部的第一气氛不同的第二气氛的待机室以使所述基片在该第二气氛中待机。
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公开(公告)号：CN118380358A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410042877.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/308 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板处理方法。基板处理系统具备具有湿式处理装置和干式处理装置中的任意一方的第一处理系统、以及具有另一方的第二处理系统，湿式处理装置以湿式进行基板处理，干式处理装置以干式进行基板处理，第一处理系统具有由第一处理系统和第二处理系统共用的载置台，共用的载置台载置被构成为能够收容被进行基板处理之前的多张基板的容器，基板处理系统还具备：第一搬送系统，其在第一处理系统与第二处理系统之间搬送基板；以及第二搬送系统，其与第一搬送系统分开设置，至少连接于第二处理系统，第二搬送系统在第一处理系统与第二处理系统之间、或者与共用的载置台分开设置的其它载置台与第二处理系统之间搬送基板。
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公开(公告)号：CN116705647A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310126520.6
申请日：2023-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理装置和处理液容器更换方法，可适当地进行处理液容器的更换。基板处理装置具有：多个处理液容器(51)，其收容处理液；多个作为供给管的管(84)，其与多个处理液容器(51)分别连接；以及控制部，其控制多个供给管的移动。控制部控制供给管的上下方向上的移动，从而针对处理液容器(51)切换可供给处理液的状态和可更换的状态。
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公开(公告)号：CN221805478U
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202420076098.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本实用新型提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。
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公开(公告)号：CN219658667U
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202320236772.X
申请日：2023-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本实用新型涉及基板处理装置，可适当地进行处理液容器的更换。基板处理装置具有：多个处理液容器(51)，其收容处理液；多个作为供给管的管(84)，其与多个处理液容器(51)分别连接；以及控制部，其控制多个供给管的移动。控制部控制供给管的上下方向上的移动，从而针对处理液容器(51)切换可供给处理液的状态和可更换的状态。
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