公开(公告)号：CN118380359A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410046194.2

申请日：2024-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 酒田洋司 ,  香月信吾 ,  藤瀬辽平 ,  松山健一郎 ,  高木慎介 ,  岩城浩之 ,  只友浩贵 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。

公开(公告)号：CN107611061B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201710567005.6

申请日：2017-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正隆 ,  增永隆宏 ,  古贺隆司 ,  岩下泰治 ,  香月信吾 ,  海付将彰 ,  石丸和俊 ,  坂田文雄

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种能够缩短接合装置中的基板的接合处理时间的基板输送装置和接合系统。实施方式的一形态的基板输送装置向用于将第1基板和第2基板接合的接合装置输送第1基板和第2基板。另外，基板输送装置具备第1保持部和第2保持部。第1保持部从上表面侧保持将要接合的表面作为下表面的第1基板。第2保持部设置于第1保持部的下方，使将要接合的表面作为上表面的第2基板与第1基板相对而从下表面侧保持该第2基板。

公开(公告)号：CN101378010B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200810213699.4

申请日：2008-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原圭孝 ,  香月信吾

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70808 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67745 ,  Y10S414/14

Abstract: 本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法和存储介质，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。

公开(公告)号：CN107611061A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710567005.6

申请日：2017-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正隆 ,  增永隆宏 ,  古贺隆司 ,  岩下泰治 ,  香月信吾 ,  海付将彰 ,  石丸和俊 ,  坂田文雄

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68 ,  H01L21/681 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明提供一种能够缩短接合装置中的基板的接合处理时间的基板输送装置和接合系统。实施方式的一形态的基板输送装置向用于将第1基板和第2基板接合的接合装置输送第1基板和第2基板。另外，基板输送装置具备第1保持部和第2保持部。第1保持部从上表面侧保持将要接合的表面作为下表面的第1基板。第2保持部设置于第1保持部的下方，使将要接合的表面作为上表面的第2基板与第1基板相对而从下表面侧保持该第2基板。

公开(公告)号：CN101872717B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010202685.X

申请日：2008-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原圭孝 ,  香月信吾

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70808 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67745 ,  Y10S414/14

Abstract: 本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。

公开(公告)号：CN117331282A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310782791.7

申请日：2023-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香月信吾 ,  松山健一郎 ,  鹿野礁 ,  小崎纱央理

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供基片输送方法、基片处理装置和存储介质，其抑制曝光后基片间的输送状态不均和通过显影形成于基片的图案不均。基片处理方法使用基片处理装置，其包括经由模块组和曝光机向承载器输送基片的输送机构组，输送机构组包括：按照前级模块、曝光机、第1后级模块输送基片的第1输送机构；按照第1后级模块、加热模块、显影模块、第2后级模块输送基片的第2输送机构；和后级输送机构，并包括：比较步骤，将曝光机中从送入至能够送出基片的时间间隔设为曝光机周期时间，将预定输送的基片的、从第2输送机构的输送区间向后级输送机构的输送区间输送基片的区间输送时间与曝光机周期时间比较；和设定步骤，根据比较步骤的结果来变更区间输送时间。

公开(公告)号：CN111584392A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010092530.9

申请日：2020-02-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丰永真臣 ,  蓑手文隆 ,  时松徹 ,  石丸和俊 ,  香月信吾 ,  村上孝

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供能得到较高生产率且使基板的输送路径的设定自由度较高的技术。其包括：容器载置部，其载置收容多张基板的收容容器；多个基板处理部，其分别处理基板；第1基板输送机构，其具有移动自如的基台以及第1基板保持部和第2基板保持部，第1基板保持部和第2基板保持部设为在基台上独立地前后移动自如，以使基板左右方向上的缘部开放的方式自下方分别支承基板左右方向上靠中央部的位置，第1基板保持部和第2基板保持部一起前进而一齐相对于收容容器交接基板；以及互相层叠的多个第1基板载置部，其分别载置基板而与各基板处理部交接基板，第1基板保持部和第2基板保持部单独地在基台上前进来交接基板。

公开(公告)号：CN101872717A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010202685.X

申请日：2008-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原圭孝 ,  香月信吾

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70808 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67745 ,  Y10S414/14

Abstract: 本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。

公开(公告)号：CN101378010A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810213699.4

申请日：2008-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原圭孝 ,  香月信吾

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70808 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67745 ,  Y10S414/14

Abstract: 本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法和存储介质，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。

公开(公告)号：CN221805478U

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202420076098.8

申请日：2024-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 酒田洋司 ,  香月信吾 ,  藤瀬辽平 ,  松山健一郎 ,  高木慎介 ,  岩城浩之 ,  只友浩贵 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本实用新型提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。