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公开(公告)号：CN102592969B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110446759.9
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种涂布处理方法和涂布装置。在前批次(A)用的抗蚀剂喷出喷嘴(N1)和随后批次(B)用的抗蚀剂喷出喷嘴(N2)通过共用的移动机构成为一体在涂布处理部(1a，1b)和喷嘴池(5)之间移动，在未使用的抗蚀剂喷出喷嘴的前端部形成由两个空气层夹持稀释剂层(T)的层结构的情况下，从喷嘴(N1)对在前批次(A)的最后的晶片(WA25)供给完抗蚀剂(RA)后，向喷嘴池(5)移动喷嘴(N1)的工序的过程中，进行向喷嘴(N1)吸入空气，在该喷嘴(N1)内形成第1空气层。另外，在进行使喷嘴(N2)向随后批次(B)的开头的晶片(WB)的上方移动的工序的过程中，向喷嘴(N2)吸入空气，在该喷嘴(N2)内形成第2空气层。
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公开(公告)号：CN101118839B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710126991.8
申请日：2007-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67276 , G02F1/1303 , G05B19/41865 , G05B2219/31428 , G05B2219/32097 , G05B2219/45031 , H01L21/67745 , Y02P90/20
Abstract: 一种涂敷、显影装置及其方法。在一个组(A)的基板与后续其它组(B)的基板之间变更第二加热单元的加热处理温度时，提高处理能力。在按调温单元(CPL2)、涂敷单元(BCT)、加热单元(LHP2)、调温单元(CPL3)、涂敷单元(COT)、加热单元(LHP3)、冷却单元(COL)顺序搬送晶片时，在加热单元(LHP3)中处理组(A)的最后晶片(A10)后，变更该单元的加热温度，从组(B)最前面的晶片(B1)被搬送至调温单元(CPL3)的搬送循环的下一个搬送循环开始，将该最前面的晶片(B1)随后的并被加热单元(LHP2)加热处理后的晶片(B)依次添满退避单元(BF2)，在加热单元(LHP3)的温度变更后，将退避单元(BF2)内的晶片(B)依次向下游侧的模块搬送。
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公开(公告)号：CN101378010B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810213699.4
申请日：2008-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70808 , H01L21/6715 , H01L21/67745 , Y10S414/14
Abstract: 本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法和存储介质，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。
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公开(公告)号：CN102974500B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210320645.4
申请日：2012-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67288
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在具有包括按照与基板的批次对应的处理液的每个种类准备的多个喷嘴的液体处理部的液体处理装置中，提供对于在液体处理部发生的故障能够抑制处理效率降低的技术。在一个批次的晶片的液体处理中使用的药液喷嘴发生故障时，停止使用与该一个批次对应的药液喷嘴，使用与该药液喷嘴不同的药液喷嘴进行处理的下一个批次的晶片进行处理。关于药液喷嘴有无故障发生的判断，依次检查已处理的各个晶片的液体处理状态以判断其是否良好，在使用相同药液喷嘴在不同的液体处理部中被处理的晶片，例如连续三次被判断为不良品时，判断为药液喷嘴发生故障。
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公开(公告)号：CN101872717B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010202685.X
申请日：2008-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , G03F7/20 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70808 , H01L21/6715 , H01L21/67745 , Y10S414/14
Abstract: 本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1858648B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610077844.1
申请日：2006-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/67745 , Y10S414/135 , Y10S414/14
Abstract: 本发明提供一种涂敷·显影装置，沿着基板的输送路径，在处理部内从输送上游端按顺序配置有：载置台模块；调温模块；涂敷模块；加热模块；在利用具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂的基板输送机构，使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块时，为了使从调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而在涂敷模块和加热模块之间配置虚载置台，将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板。
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公开(公告)号：CN100555595C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200680002609.6
申请日：2006-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/67276
Abstract: 本发明的基板搬送处理装置设有：对晶圆进行处理的多个处理工位(20～23、40)；搬送晶圆(W)的搬送工位(31～34)；与搬送工位之间交接晶圆的退避工位(30)；以及探测在处理工位中发生的故障，基于该探测信号来集中控制各工位的CPU(60)。在控制部探测到任一处理工位中发生的故障时，将搬送至发生故障的处理工位中的晶圆搬送至退避工位，暂时停止发生故障的处理工位之前的晶圆的搬送，使除此以外的晶圆的搬送、处理继续进行，然后进行发生故障的处理工位之前的晶圆的搬送、处理。
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公开(公告)号：CN100468685C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200580022993.1
申请日：2005-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67225 , H01L21/67253 , Y10S414/135
Abstract: 在基板处理装置发生故障时，回收基板处理装置内残存的基板以便不对后面的基板处理带来不良影响，迅速再次开始基板处理。在涂敷显影处理装置内发生故障时，利用装置内的输送单元将涂敷显影处理装置内的所有基板回收到输入输出部。此时，各输送单元，将基板从故障发生时的各位置向输入输出部的方向输送来进行回收。并且，对于故障发生时正在处理单元内接受处理的基板，在该处理结束后回收。
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公开(公告)号：CN102974500A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210320645.4
申请日：2012-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67288
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在具有包括按照与基板的批次对应的处理液的每个种类准备的多个喷嘴的液体处理部的液体处理装置中，提供对于在液体处理部发生的故障能够抑制处理效率降低的技术。在一个批次的晶片的液体处理中使用的药液喷嘴发生故障时，停止使用与该一个批次对应的药液喷嘴，使用与该药液喷嘴不同的药液喷嘴进行处理的下一个批次的晶片进行处理。关于药液喷嘴有无故障发生的判断，依次检查已处理的各个晶片的液体处理状态以判断其是否良好，在使用相同药液喷嘴在不同的液体处理部中被处理的晶片，例如连续三次被判断为不良品时，判断为药液喷嘴发生故障。
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公开(公告)号：CN102592969A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110446759.9
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种涂布处理方法和涂布装置。在前批次(A)用的抗蚀剂喷出喷嘴(N1)和随后批次(B)用的抗蚀剂喷出喷嘴(N2)通过共用的移动机构成为一体在涂布处理部(1a，1b)和喷嘴池(5)之间移动，在未使用的抗蚀剂喷出喷嘴的前端部形成由两个空气层夹持稀释剂层(T)的层结构的情况下，从喷嘴(N1)对在前批次(A)的最后的晶片(WA25)供给完抗蚀剂(RA)后，向喷嘴池(5)移动喷嘴(N1)的工序的过程中，进行向喷嘴(N1)吸入空气，在该喷嘴(N1)内形成第1空气层。另外，在进行使喷嘴(N2)向随后批次(B)的开头的晶片(WB)的上方移动的工序的过程中，向喷嘴(N2)吸入空气，在该喷嘴(N2)内形成第2空气层。
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