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公开(公告)号：CN119731772A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380059869.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 对衬底的表面进行改性，其中该衬底包括不同材料的至少两个不同的层或膜。然后将改性层选择性地转化为这些层中的一个上的保护层，同时蚀刻另一个层。
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公开(公告)号：CN107924816B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201680045009.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法。所述方法包括：接纳具有露出由硅和以下中之一组成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；(2)氧和氮两者；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括将工件的表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境，以化学改变目标层的表面区域，以及然后，将工件的温度升高至第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。
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公开(公告)号：CN114207787A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080055950.8
申请日：2020-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213
Abstract: 实施例提供了对含钛材料层的非等离子体刻蚀，诸如气相和/或远程等离子体刻蚀，该非等离子体刻蚀对其他材料层具有可调选择性。在加工室内接收衬底，并且该衬底具有暴露的材料层，这些材料层包括含钛材料层和至少一个附加材料层。通过将该衬底暴露于包含含卤素气体的受控环境中，来相对于该含钛材料层选择性地刻蚀该附加材料层。对于一个实施例，该含卤素气体包括氟基气体。对于一个实施例，该含钛材料层是钛或氮化钛材料层。对于一个实施例，该附加材料层包括钨、氧化钨、氧化铪、氧化硅、硅锗、硅、氮化硅和/或氧化铝。可以通过调节诸如温度等工艺参数来执行相对于含钛材料层的非选择性刻蚀。
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公开(公告)号：CN108701612B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201780014542.6
申请日：2017-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/324 , H05H1/46
Abstract: 提供了一种用于确定和利用干法蚀刻工艺的PHT(PHT)的工艺完成的方法，所述方法包括：在处理室中提供基底，所述基底具有膜层和下层，所述膜层具有一个或更多个区域；进行干法蚀刻工艺以去除所述膜层或所述膜层的区域，所述干法蚀刻工艺产生副产物层；以及测量所述副产物层的一个或更多个特性；基于所测量的所述副产物层的一个或更多个特性来调节PHT工艺；进行PHT工艺以去除所述基底上的所述副产物层，其中所述PHT工艺利用实时原位工艺以同步地确定何时完成所述副产物层的去除。
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公开(公告)号：CN107851559B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201680044996.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , G03F7/20
Abstract: 本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法和系统。所述方法包括：接纳具有露出待被至少部分地去除的目标层的表面的工件；将所述工件放置在干式非等离子体蚀刻室中的工件保持器上；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括操作干式非等离子体蚀刻室以执行以下步骤：将工件的表面暴露于在35℃至100℃范围内的第一设定点温度下的化学环境以化学改变目标层的表面区域，然后，将工件的温度升高至等于或高于100℃的第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924816A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680045009.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法。所述方法包括：接纳具有露出由硅和以下中之一组成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；(2)氧和氮两者；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括将工件的表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境，以化学改变目标层的表面区域，以及然后，将工件的温度升高至第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。
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公开(公告)号：CN117203741A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280018961.8
申请日：2022-02-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213
Abstract: 在某些实施例中，用于处理半导体衬底的方法包括接收包括膜堆叠体的半导体衬底。该膜堆叠体包括第一硅层、第二硅层以及位于该第一硅层与该第二硅层之间的第一含锗层。该方法进一步包括通过将该膜堆叠体暴露于包括氟剂、氮剂和氢剂的等离子体来选择性地蚀刻该第一含锗层。该等离子体蚀刻该第一含锗层，并且使得在该第一硅层和该第二硅层的暴露表面上形成钝化层以在该膜堆叠体暴露于该等离子体期间抑制该第一硅层和该第二硅层的蚀刻。
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公开(公告)号：CN116897414A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280017300.3
申请日：2022-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东京毅力科创美国控股有限公司
IPC: H01L21/3213
Abstract: 在某些实施例中，用于处理半导体衬底的方法包括接收包括膜堆叠体的半导体衬底。该膜堆叠体包括第一和第二含锗层以及位于该第一与第二含锗层之间的第一硅层。该方法包括通过将该膜堆叠体暴露于包括氟剂和氮剂的等离子体来选择性地蚀刻该第一硅层。该等离子体蚀刻该第一硅层，并且使得在该第一和第二含锗层的暴露表面上形成钝化层以在该膜堆叠体暴露于该等离子体期间抑制该第一和第二含锗层的蚀刻。
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公开(公告)号：CN113950735A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202080043113.3
申请日：2020-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 描述了一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法。该方法包括接收衬底，该衬底具有暴露金属层的工作表面并且具有至少一种暴露于该金属层或在该金属层下方的其他材料；以及通过将该衬底暴露于含有无水卤素化合物的受控气相环境，相对于该其他材料有差别地蚀刻该金属层。
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公开(公告)号：CN108701612A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014542.6
申请日：2017-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/324 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32963 , H01L22/12 , H01L22/26 , H05H1/46
Abstract: 提供了一种用于确定和利用干法蚀刻工艺的PHT(PHT)的工艺完成的方法，所述方法包括：在处理室中提供基底，所述基底具有膜层和下层，所述膜层具有一个或更多个区域；进行干法蚀刻工艺以去除所述膜层或所述膜层的区域，所述干法蚀刻工艺产生副产物层；以及测量所述副产物层的一个或更多个特性；基于所测量的所述副产物层的一个或更多个特性来调节PHT工艺；进行PHT工艺以去除所述基底上的所述副产物层，其中所述PHT工艺利用实时原位工艺以同步地确定何时完成所述副产物层的去除。
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