公开(公告)号：CN114207787A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055950.8

申请日：2020-05-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊藤大辅 ,  苏巴迪普·卡尔 ,  入江伸次 ,  艾兰·莫斯登

IPC: H01L21/3213

Abstract: 实施例提供了对含钛材料层的非等离子体刻蚀，诸如气相和/或远程等离子体刻蚀，该非等离子体刻蚀对其他材料层具有可调选择性。在加工室内接收衬底，并且该衬底具有暴露的材料层，这些材料层包括含钛材料层和至少一个附加材料层。通过将该衬底暴露于包含含卤素气体的受控环境中，来相对于该含钛材料层选择性地刻蚀该附加材料层。对于一个实施例，该含卤素气体包括氟基气体。对于一个实施例，该含钛材料层是钛或氮化钛材料层。对于一个实施例，该附加材料层包括钨、氧化钨、氧化铪、氧化硅、硅锗、硅、氮化硅和/或氧化铝。可以通过调节诸如温度等工艺参数来执行相对于含钛材料层的非选择性刻蚀。

公开(公告)号：CN113950735A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080043113.3

申请日：2020-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 苏巴迪普·卡尔 ,  伊藤大辅 ,  马修·弗洛 ,  村木雄介 ,  艾兰·莫斯登

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法。该方法包括接收衬底，该衬底具有暴露金属层的工作表面并且具有至少一种暴露于该金属层或在该金属层下方的其他材料；以及通过将该衬底暴露于含有无水卤素化合物的受控气相环境，相对于该其他材料有差别地蚀刻该金属层。