公开(公告)号：CN119731772A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059869.0

申请日：2023-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 乔纳森·奥兰 ,  马修·弗洛 ,  苏巴迪普·卡尔 ,  艾兰·莫斯登

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311

Abstract: 对衬底的表面进行改性，其中该衬底包括不同材料的至少两个不同的层或膜。然后将改性层选择性地转化为这些层中的一个上的保护层，同时蚀刻另一个层。

公开(公告)号：CN113950735A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080043113.3

申请日：2020-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 苏巴迪普·卡尔 ,  伊藤大辅 ,  马修·弗洛 ,  村木雄介 ,  艾兰·莫斯登

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法。该方法包括接收衬底，该衬底具有暴露金属层的工作表面并且具有至少一种暴露于该金属层或在该金属层下方的其他材料；以及通过将该衬底暴露于含有无水卤素化合物的受控气相环境，相对于该其他材料有差别地蚀刻该金属层。