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公开(公告)号：CN114450772A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080067413.5
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/74 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 在衬底上形成第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构，并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层，并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一S/D结构。随后在第二电介质中形成第一互连开口，以露出第一替代硅化物层。用第一替代互连层填充第一互连开口，其中，该第一替代互连层由第三电介质制成。进一步地，对衬底执行热处理。去除第一替代互连层和第一替代硅化物层。在第一S/D结构的表面上形成第一硅化物层。
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公开(公告)号：CN107924816B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201680045009.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法。所述方法包括：接纳具有露出由硅和以下中之一组成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；(2)氧和氮两者；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括将工件的表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境，以化学改变目标层的表面区域，以及然后，将工件的温度升高至第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。
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公开(公告)号：CN114207787A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080055950.8
申请日：2020-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213
Abstract: 实施例提供了对含钛材料层的非等离子体刻蚀，诸如气相和/或远程等离子体刻蚀，该非等离子体刻蚀对其他材料层具有可调选择性。在加工室内接收衬底，并且该衬底具有暴露的材料层，这些材料层包括含钛材料层和至少一个附加材料层。通过将该衬底暴露于包含含卤素气体的受控环境中，来相对于该含钛材料层选择性地刻蚀该附加材料层。对于一个实施例，该含卤素气体包括氟基气体。对于一个实施例，该含钛材料层是钛或氮化钛材料层。对于一个实施例，该附加材料层包括钨、氧化钨、氧化铪、氧化硅、硅锗、硅、氮化硅和/或氧化铝。可以通过调节诸如温度等工艺参数来执行相对于含钛材料层的非选择性刻蚀。
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公开(公告)号：CN111542923A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880085260.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 杰弗里·史密斯 , 安东·J·德维莱尔 , 坎达巴拉·N·塔皮利 , 苏巴迪普·卡尔
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开内容的各方面提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：形成在衬底上的第一场效应晶体管(FET)，该第一场效应晶体管包括第一栅极；沿基本上垂直于衬底的方向堆叠在第一FET上的第二FET，该第二FET包括第二栅极。该半导体器件还包括第一布线轨线和与第一布线轨线电隔离的第二布线轨线。第一布线轨线和第二布线轨线中的每一个设置在沿所述方向堆叠在第二FET上的布线平面上。该半导体器件还包括：第一导电迹线，其被配置成将第一FET的第一栅极导电地耦接至第一布线轨线；以及第二导电迹线，其被配置成将第二FET的第二栅极导电地耦接至第二布线轨线。
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公开(公告)号：CN119731772A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380059869.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 对衬底的表面进行改性，其中该衬底包括不同材料的至少两个不同的层或膜。然后将改性层选择性地转化为这些层中的一个上的保护层，同时蚀刻另一个层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114902399A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080091142.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L29/66
Abstract: 提供了一种制作半导体器件的方法。在衬底上方形成层的初始堆叠。初始堆叠在第一材料层与第二材料层之间交替，第二材料层具有与第一材料层不同的成分。初始堆叠被划分为第一堆叠和第二堆叠。通过使用第一材料层作为第一GAA晶体管的相应沟道区以及使用第二材料层作为第一GAA晶体管的相应替代栅极，来在第一堆叠中形成第一GAA晶体管。通过使用第二材料层作为第二GAA晶体管的相应沟道区以及使用第一材料层作为第二GAA晶体管的相应替代栅极，来在第二堆叠中形成第二GAA晶体管。第二GAA晶体管从第一GAA晶体管竖直地偏移。
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公开(公告)号：CN109643725B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201780052553.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L29/161
Abstract: 一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底以及形成在所述衬底上的场效应晶体管的栅极区。所述栅极区包括具有纵向轴线的垂直堆叠的纳米线，所述纵向轴线平行于所述衬底的工作表面延伸。垂直堆叠的纳米线的给定堆叠包括垂直对准的至少两根纳米线，其中p型纳米线和n型纳米线在空间上垂直地彼此分离。所述半导体器件还包括形成在栅极区内的台阶状连接结构，所述栅极区将每根纳米线电连接到所述栅极区上方的位置。第一栅电极具有台阶状廓线并且连接到第一级纳米线。
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公开(公告)号：CN109643725A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052553.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L29/161
CPC classification number: H01L29/0676 , H01L21/823807 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1104 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/775
Abstract: 一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底以及形成在所述衬底上的场效应晶体管的栅极区。所述栅极区包括具有纵向轴线的垂直堆叠的纳米线，所述纵向轴线平行于所述衬底的工作表面延伸。垂直堆叠的纳米线的给定堆叠包括垂直对准的至少两根纳米线，其中p型纳米线和n型纳米线在空间上垂直地彼此分离。所述半导体器件还包括形成在栅极区内的台阶状连接结构，所述栅极区将每根纳米线电连接到所述栅极区上方的位置。第一栅电极具有台阶状廓线并且连接到第一级纳米线。
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公开(公告)号：CN111566803B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201880085673.8
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L29/423 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/092 , H10B41/35
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供衬底，该衬底包括用于形成第一环绕栅极(GAA)晶体管的沟道的第一堆叠翅片结构和用于形成第二GAA晶体管的沟道的第二堆叠翅片结构，第一堆叠翅片结构包括初始体积的第一沟道材料，第二堆叠翅片结构包括初始体积的第二沟道材料；将第二沟道材料的所述初始体积相对于第一沟道材料的初始体积减小预定量，该预定量对应于第一GAA晶体管的延迟；相应地围绕所述第一沟道材料和所述第二沟道材料形成第一GAA栅极结构和第二GAA栅极结构。
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公开(公告)号：CN107851559B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201680044996.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , G03F7/20
Abstract: 本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法和系统。所述方法包括：接纳具有露出待被至少部分地去除的目标层的表面的工件；将所述工件放置在干式非等离子体蚀刻室中的工件保持器上；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括操作干式非等离子体蚀刻室以执行以下步骤：将工件的表面暴露于在35℃至100℃范围内的第一设定点温度下的化学环境以化学改变目标层的表面区域，然后，将工件的温度升高至等于或高于100℃的第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。
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