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公开(公告)号：CN114175248A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054218.9
申请日：2020-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/06 , H01L21/8238
Abstract: 本披露内容的各方面提供了一种半导体装置，该装置包括第一晶体管堆叠体和第二晶体管堆叠体。该第一堆叠体包括第一晶体管和沿着垂直于衬底平面的Z方向堆叠在该第一晶体管上的第二晶体管。该第二堆叠体包括第三晶体管和沿着该Z方向堆叠在该第三晶体管上的第四晶体管。该半导体装置包括第一布线轨道和与该第一布线轨道电隔离的第二布线轨道。该第一布线轨道和该第二布线轨道在平行于衬底平面的X方向上延伸。第一导电迹线和第四导电迹线分别将该第一晶体管的第一栅极和该第四晶体管的第四栅极导电耦合到该第一布线轨道。第一端子结构分别导电耦合该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管和该第四晶体管的四个源极/漏极端子。
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公开(公告)号：CN114631180B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080073454.5
申请日：2020-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括第一电源轨、第一电力输入结构、电路和第一中段轨。该第一电源轨形成在衬底上的第一隔离沟槽内的第一轨开口中。该第一电力输入结构被配置为与半导体器件外部的电源的第一端子连接以从该电源接收电力。该电路在衬底上由第一电源轨与第一电力输入结构之间的层形成。第一中段轨由形成该电路的这些层中的一层或多层形成。第一中段轨被配置为将来自第一电力输入结构的电力输送到第一电源轨，并且第一电源轨将电力提供给该电路以供操作。
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公开(公告)号：CN114651321A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080078385.7
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L25/065
Abstract: 本文的技术包括用于制造用于高级电路架构的高密度逻辑和存储器的方法。这种方法可以包括在单独的衬底上形成多层堆叠并在这些多层堆叠上方形成键合膜，然后使这些键合膜接触并键合，以形成包括这些多层堆叠中的每一个的组合结构。可以重复该方法以形成其他组合。在迭代之间，晶体管器件可以由这些组合结构形成。电离原子注入可以促进预定用于生长其他多层的衬底的裂解，其中，退火使该衬底在电离原子注入的预定穿透深度处被弱化。
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公开(公告)号：CN114207807A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080055270.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/06 , H01L21/822
Abstract: 一种3D半导体器件的制造方法，该方法包括：形成第一目标结构，该第一目标结构包括至少一个上部栅极、至少一个底部栅极以及电介质分离层，该电介质分离层设置在该至少一个上部栅极与该至少一个底部栅极之间并且将该至少一个上部栅极与该至少一个底部栅极分离；去除该第一目标结构中的多个材料去除区域中的材料，该多个材料去除区域包括穿过该至少一个上部栅极延伸到该电介质分离层的顶部的至少一个材料去除区域；以及形成建立与该上部栅极的第一电连接的第一接触件和建立与该至少一个底部栅极的第二电连接的第二接触件，使得该第一接触件和该第二接触件是彼此独立的。
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公开(公告)号：CN114902399A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080091142.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L29/66
Abstract: 提供了一种制作半导体器件的方法。在衬底上方形成层的初始堆叠。初始堆叠在第一材料层与第二材料层之间交替，第二材料层具有与第一材料层不同的成分。初始堆叠被划分为第一堆叠和第二堆叠。通过使用第一材料层作为第一GAA晶体管的相应沟道区以及使用第二材料层作为第一GAA晶体管的相应替代栅极，来在第一堆叠中形成第一GAA晶体管。通过使用第二材料层作为第二GAA晶体管的相应沟道区以及使用第一材料层作为第二GAA晶体管的相应替代栅极，来在第二堆叠中形成第二GAA晶体管。第二GAA晶体管从第一GAA晶体管竖直地偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114631180A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080073454.5
申请日：2020-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括第一电源轨、第一电力输入结构、电路和第一中段轨。该第一电源轨形成在衬底上的第一隔离沟槽内的第一轨开口中。该第一电力输入结构被配置为与半导体器件外部的电源的第一端子连接以从该电源接收电力。该电路在衬底上由第一电源轨与第一电力输入结构之间的层形成。第一中段轨由形成该电路的这些层中的一层或多层形成。第一中段轨被配置为将来自第一电力输入结构的电力输送到第一电源轨，并且第一电源轨将电力提供给该电路以供操作。
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公开(公告)号：CN113424307A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013797.2
申请日：2020-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/8234
Abstract: 本披露内容的各方面提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：通过从与衬底的第二侧相反的该衬底的第一侧进入，在该衬底上形成虚拟电力轨。进一步地，该方法包括：通过进入该衬底的第一侧，在该衬底上形成晶体管器件和第一布线层。这些虚拟电力轨被定位于该衬底的第一侧的这些晶体管器件的水平下方。然后，该方法包括：通过从与该衬底的第一侧相反的该衬底的第二侧进入，用导电电力轨来替换这些虚拟电力轨。
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公开(公告)号：CN114450772A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080067413.5
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/74 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 在衬底上形成第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构，并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层，并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一S/D结构。随后在第二电介质中形成第一互连开口，以露出第一替代硅化物层。用第一替代互连层填充第一互连开口，其中，该第一替代互连层由第三电介质制成。进一步地，对衬底执行热处理。去除第一替代互连层和第一替代硅化物层。在第一S/D结构的表面上形成第一硅化物层。
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公开(公告)号：CN114365275A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080064216.8
申请日：2020-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/092 , H01L29/786
Abstract: 描述了形成晶体管器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一晶体管平面，该第一晶体管平面包括适用于形成场效应晶体管的沟道的至少一层外延膜；在该第一晶体管平面上沉积第一绝缘体层；在该第一绝缘体层上沉积第一多晶硅层；使用激光加热对该第一多晶硅层进行退火。该激光加热增加了该第一多晶硅层的晶粒尺寸。该方法还包括：在该第一多晶硅层上形成第二晶体管平面，该第二晶体管平面适用于形成场效应晶体管的沟道；在该第二晶体管平面上沉积第二绝缘体层；在该第二绝缘体层上沉积第二多晶硅层；以及使用激光加热对该第二多晶硅层进行退火。
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公开(公告)号：CN114175246A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080053747.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种集成电路包括单位单元阵列，该阵列中的每个单位单元包括布置成堆叠体场效应晶体管。局部互连结构形成这些场效应晶体管的选择端子之间的选择导电路径，以限定被限制在每个单位单元内的单元电路系统。触点阵列设置在该单位单元的可触及表面上，其中，每个触点电耦合到该单元电路系统的对应电节点。
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