公开(公告)号：CN114450772A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080067413.5

申请日：2020-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  新实宽明 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  丹尼尔·沙内穆加梅 ,  拉尔斯·利布曼 ,  苏巴迪普·卡尔 ,  坎达巴拉·塔皮利 ,  安东·德维利耶

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/74 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

Abstract: 在衬底上形成第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构，并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层，并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一S/D结构。随后在第二电介质中形成第一互连开口，以露出第一替代硅化物层。用第一替代互连层填充第一互连开口，其中，该第一替代互连层由第三电介质制成。进一步地，对衬底执行热处理。去除第一替代互连层和第一替代硅化物层。在第一S/D结构的表面上形成第一硅化物层。

公开(公告)号：CN101006566A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。

公开(公告)号：CN100568462C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。