-
公开(公告)号：CN101356631B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780001371.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , C23C16/04 , C23C16/52 , H01L21/67259 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种膜位置调整方法、存储介质和基板处理系统，该膜位置调整方法能够容易地消除在基板处理系统内的成膜位置的偏移。基板处理系统包括处理腔室、和进行应该搬入处理腔室的晶片W的定心的定向器。定向器上设置有用于测定晶片W的中心位置的偏移的方位传感器，和通过图像识别功能测定位于晶片W的周边部分的非成膜部的宽度的图像传感器。在处理腔室内的成膜处理之后，将晶片W搬入定向器，在此测定晶片W的中心位置的偏移，进行晶片W的定心，并且测定晶片W的非成膜部的宽度，根据测定的非成膜部的宽度计算膜位置偏移。修正向处理腔室内的载置台上的晶片搬送目标位置，从而消除计算得出的膜位置偏移。
-
公开(公告)号：CN1630942A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03803618.5
申请日：2003-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67772 , Y10S414/135 , Y10S414/137
Abstract: 在半导体处理系统(2)的端口机构(16A)中，在立壁(52、54)上形成的端口(12A)上设置滑门(20A)。在系统的外面靠近端口处设置台(48)。在台上形成装载被处理基板(W)的开放型盒子(18A)的装载区(76)。对台设置可转动的护罩(50)，在关闭位置上，护罩形成包围装载区和端口的封闭空间，具有能够收纳盒子的大小。在立壁和门中的至少一边形成第一通气孔(58)，使气体从系统内部导向端口内的封闭空间。在台上形成第二通气孔(72)，使气体从封闭空间排到外部。
-
公开(公告)号：CN100433248C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610067114.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F24F7/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，防止比如附着在处理完成的基板上的腐蚀性气体等处理气体的气体成分和搬送室等的排气一起，原样地向外部排出，可减轻工厂的排器设备等的负担。该基板处理装置具备用于对晶片实施特定处理的处理单元和向该处理单元搬进搬出晶片的搬送室(200)，搬送室(200)具有：向搬送室(200)内导入外气的供气部(230)、与供气部(230)相对地设置，排出搬送室(200)内气体的排气部(250)、设置在排气部(250)上，由至少除去排气中所含有的有害成分的有害成分除去过滤器(256)构成的排气过滤机构(254)。
-
公开(公告)号：CN1310301C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03803618.5
申请日：2003-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67772 , Y10S414/135 , Y10S414/137
Abstract: 在半导体处理系统(2)的端口机构(16A)中，在立壁(52、54)上形成的端口(12A)上设置滑门(20A)。在系统的外面靠近端口处设置台(48)。在台上形成装载被处理基板(W)的开放型盒子(18A)的装载区(76)。对台设置可转动的护罩(50)，在关闭位置上，护罩形成包围装载区和端口的封闭空间，具有能够收纳盒子的大小。在立壁和门中的至少一边形成第一通气孔(58)，使气体从系统内部导向端口内的封闭空间。在台上形成第二通气孔(72)，使气体从封闭空间排到外部。
-
公开(公告)号：CN104303284B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380025694.8
申请日：2013-05-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , F24F7/06 , F24F13/08 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67742 , F24F13/02 , H01L21/02041 , H01L21/67109 , H01L21/67766 , H01L21/67781 , H01L21/681 , H01L21/68707 , Y10S901/30
Abstract: 本发明提供一种冷却机构(10)，其特征在于，该冷却机构(10)包括：多个支承台(54)，其设于形成有下降流的大气输送室(6)，且沿上下方向设为多层；多个支承销(56)，其设于各所述支承台(54)，用于与所述被处理体(W)的背面接触而支承所述被处理体(W)；和折流板(58)，其设于所述支承台(54)，用于利用所述下降流冷却被支承在位于该支承台(54)的下层的支承台(54)上的所述被处理体(W)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841655A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067114.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F24F7/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，防止比如附着在处理完成的基板上的腐蚀性气体等处理气体的气体成分和搬送室等的排气一起，原样地向外部排出，可减轻工厂的排器设备等的负担。该基板处理装置具备用于对晶片实施特定处理的处理单元和向该处理单元搬进搬出晶片的搬送室(200)，搬送室(200)具有：向搬送室(200)内导入外气的供气部(230)、与供气部(230)相对地设置，排出搬送室(200)内气体的排气部(250)、设置在排气部(250)上，由至少除去排气中所含有的有害成分的有害成分除去过滤器(256)构成的排气过滤机构(254)。
-
公开(公告)号：CN104303284A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025694.8
申请日：2013-05-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , F24F7/06 , F24F13/08 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67742 , F24F13/02 , H01L21/02041 , H01L21/67109 , H01L21/67766 , H01L21/67781 , H01L21/681 , H01L21/68707 , Y10S901/30
Abstract: 本发明提供一种冷却机构(10)，其特征在于，该冷却机构(10)包括：多个支承台(54)，其设于形成有下降流的大气输送室(6)，且沿上下方向设为多层；多个支承销(56)，其设于各所述支承台(54)，用于与所述被处理体(W)的背面接触而支承所述被处理体(W)；和折流板(58)，其设于所述支承台(54)，用于利用所述下降流冷却被支承在位于该支承台(54)的下层的支承台(54)上的所述被处理体(W)。
-
公开(公告)号：CN101933122B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200980103932.6
申请日：2009-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C14/50 , C23C16/44 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种负载锁定装置和基板冷却方法，负载锁定装置(6、7)包括：使压力能够在与真空的搬送室(5)对应的压力与大气压之间变动地设置的容器(31)；使容器(31)内的压力调整为与搬送室(5)对应的真空和大气压的压力调整机构(48)；冷却板(32)，设置在容器(31)内，晶片(W)载置于其上或与其接近地被冷却；在容器(31)内检测晶片(W)的变形的变位传感器(61、62)；和控制机构(20)，进行如下控制：在将高温的晶片(W)从搬送室(5)搬入到容器(31)内后的晶片冷却期间，在变位传感器(61、62)检测出晶片(W)产生了规定值以上的变形时，使晶片(W)的冷却缓和。
-
公开(公告)号：CN101933122A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103932.6
申请日：2009-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C14/50 , C23C16/44 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种负载锁定装置和基板冷却方法，负载锁定装置(6、7)包括：使压力能够在与真空的搬送室(5)对应的压力与大气压之间变动地设置的容器(31)；使容器(31)内的压力调整为与搬送室(5)对应的真空和大气压的压力调整机构(48)；冷却板(32)，设置在容器(31)内，晶片(W)载置于其上或与其接近地被冷却；在容器(31)内检测晶片(W)的变形的变位传感器(61、62)；和控制机构(20)，进行如下控制：在将高温的晶片(W)从搬送室(5)搬入到容器(31)内后的晶片冷却期间，在变位传感器(61、62)检测出晶片(W)产生了规定值以上的变形时，使晶片(W)的冷却缓和。
-
公开(公告)号：CN101356631A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001371.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , C23C16/04 , C23C16/52 , H01L21/67259 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种膜位置调整方法、存储介质和基板处理系统，该膜位置调整方法能够容易地消除在基板处理系统内的成膜位置的偏移。基板处理系统包括处理腔室、和进行应该搬入处理腔室的晶片W的定心的定向器。定向器上设置有用于测定晶片W的中心位置的偏移的方位传感器，和通过图像识别功能测定位于晶片W的周边部分的非成膜部的宽度的图像传感器。在处理腔室内的成膜处理之后，将晶片W搬入定向器，在此测定晶片W的中心位置的偏移，进行晶片W的定心，并且测定晶片W的非成膜部的宽度，根据测定的非成膜部的宽度计算膜位置偏移。修正向处理腔室内的载置台上的晶片搬送目标位置，从而消除计算得出的膜位置偏移。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.033 seconds)
