公开(公告)号：CN102315143A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110189199.3

申请日：2011-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  村木雄介 ,  富士原仁

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32779 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化。本发明提供一种基板处理装置，在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少2片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量与承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有使承载的基板中央部冷却的中央调温通道和使基板周缘部冷却的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有1个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。

公开(公告)号：CN102315151B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201110185040.4

申请日：2011-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  村木雄介 ,  富士原仁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  Y10T156/17 ,  Y10T156/1702

Abstract: 本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含：周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；支撑台，支撑所述周缘承载部件和所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。

公开(公告)号：CN101667543A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910171072.1

申请日：2009-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 富士原仁

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00 ,  G03F7/36

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法及抗蚀剂图案的改性方法，当在氧化膜蚀刻精细且高纵横比的孔时，能够同时实现良好的蚀刻选择性和形状性。其包括以下工序：将依次形成有蚀刻对象的氧化膜、硬质掩模层、图案化后的光致抗蚀剂的基板搬入处理容器(10)内，并载置于所述下部电极上的工序；向处理容器(10)内供给包含C x F y (x是3以下的整数，y是8以下的整数)、C 4 F 8 、稀有气体、和O 2 的处理气体的工序；从第一高频施加单元(48)对上部电极(34)施加高频电力生成处理气体的等离子体的工序；从第二高频电力施加单元(90)对下部电极(16)施加偏压用的高频电力的工序；和从直流电压施加单元(50)对上部电极(34)施加直流电压的工序。

公开(公告)号：CN102315143B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201110189199.3

申请日：2011-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  村木雄介 ,  富士原仁

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32779 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化。本发明提供一种基板处理装置，在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少两片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量与承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有使承载的基板中央部冷却的中央调温通道和使基板周缘部冷却的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有一个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。

公开(公告)号：CN102315151A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110185040.4

申请日：2011-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  村木雄介 ,  富士原仁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  Y10T156/17 ,  Y10T156/1702

Abstract: 本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含：周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；支撑台，支撑所述周缘承载部件和所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。