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公开(公告)号：CN101546699A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910129357.9
申请日：2009-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67069 , H01L21/31116 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种热处理装置和处理系统，即使增高热处理装置的加热温度，也能够充分抑制硅基板下表面的金属污染。在热处理硅基板(W)的热处理装置(4)中，具有载置并加热硅基板(W)的载置台(23)，在载置台(23)的上表面配置硅、碳化硅、氮化铝的任一种构成的盖体(35)。通过将载置台(23)的上表面由硅等盖体(35)覆盖，从而抑制硅基板(W)下表面的金属污染。
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