公开(公告)号：CN102148153B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110020639.2

申请日：2011-01-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  山下扶美子 ,  西村荣一 ,  大岩德久 ,  松下贵哉 ,  富田宽

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供基板清洁方法及基板清洁装置。该基板清洁方法及基板清洁装置在利用等离子体蚀刻形成包含硅层的暴露部的图案时，不对图案产生损伤就能够除去副生成物和除去残留氟。该基板清洁方法在利用等离子体蚀刻形成基板上的图案之后清洁基板的表面，该基板清洁方法包括：副生成物除去工序，在该工序中，将基板暴露于HF气体气氛中而除去副生成物；残留氟除去工序，在该工序中，将清洁气体等离子化并使其作用于基板，除去残留于该基板上的氟，上述清洁气体包含氢气及作为构成元素含有碳和氢的化合物的气体。

公开(公告)号：CN102148153A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110020639.2

申请日：2011-01-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  山下扶美子 ,  西村荣一 ,  大岩德久 ,  松下贵哉 ,  富田宽

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供基板清洁方法及基板清洁装置。该基板清洁方法及基板清洁装置在利用等离子体蚀刻形成包含硅层的暴露部的图案时，不对图案产生损伤就能够除去副生成物和除去残留氟。该基板清洁方法在利用等离子体蚀刻形成基板上的图案之后清洁基板的表面，该基板清洁方法包括：副生成物除去工序，在该工序中，将基板暴露于HF气体气氛中而除去副生成物；残留氟除去工序，在该工序中，将清洁气体等离子化并使其作用于基板，除去残留于该基板上的氟，上述清洁气体包含氢气及作为构成元素含有碳和氢的化合物的气体。