公开(公告)号：CN103828029B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280047417.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  松本孝典

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B05D3/145 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，加热基板并使基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在氧等离子体处理工序之后，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。

公开(公告)号：CN103828029A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280047417.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  松本孝典

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B05D3/145 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，加热基板并使基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在氧等离子体处理工序之后，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。

公开(公告)号：CN106067411B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201610248187.6

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种对具有多孔质膜和掩模的被处理物进行处理的方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和为了去除掩模，在处理容器内生成第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。另外，在供给第一气体的工序中，不生成等离子体，向处理容器内供给的处理气体的分压设定为饱和蒸气压的20％以上的分压。

公开(公告)号：CN107210217A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009447.2

申请日：2016-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一实施方式的方法包括将具有磁性层的被处理体载置于在等离子体处理装置的处理容器内设置的静电夹具上的工序；以及对磁性层蚀刻的工序，该工序在处理容器内生成包括异丙醇及二氧化碳在内的处理气体的等离子体。一实施方式中，处理容器内的空间压力设定为1.333Pa以下的压力，静电夹具温度设定为－15度以下的温度，异丙醇的分压设定为该异丙醇的饱和蒸气压以下的分压。

公开(公告)号：CN104505333B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410614517.X

申请日：2013-04-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

Abstract: 具有加热基板并将该基板暴露于氧等离子体中的工序和循环处理工序，在该循环处理工序中，将基板暴露于氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛中，并且重复如下两个阶段：将混合气体的全压设为第1全压或将醇类气体的分压设为醇类气体的第1分压的第1阶段，以及将混合气体的全压设为比第1全压低的第2全压或将醇类气体的分压设为比醇类气体的第1分压低的醇类气体的第2分压的第2阶段，在循环处理工序中，从与基板相对的区域向基板供给混合气体，并且来自包含基板的中央部的第1区域的混合气体的单位面积的供给量比来自第1区域的外侧的第2区域的混合气体的单位面积的供给量多。

公开(公告)号：CN106067411A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610248187.6

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31116 ,  H01J37/32 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种对具有多孔质膜和掩模的被处理物进行处理的方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和为了去除掩模，在处理容器内生成第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。另外，在供给第一气体的工序中，不生成等离子体，向处理容器内供给的处理气体的分压设定为饱和蒸气压的20％以上的分压。

公开(公告)号：CN101728320A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910206078.8

申请日：2009-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅子龙一 ,  白石豪介 ,  田原慈

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的制造装置，能够修复被曝露在CO2等离子体中的低介电常数绝缘膜的损伤，使低介电常数绝缘膜成为良好的状态，从而可提高半导体器件的性能和可靠性。本发明的半导体器件的制造方法包括：对在基板上形成的低介电常数绝缘膜进行蚀刻的蚀刻处理工序；在该蚀刻处理工序后把基板曝露在CO2等离子体中的CO2等离子体处理工序；和在CO2等离子体处理工序后，对低介电常数绝缘膜照射紫外线的紫外线处理工序。

公开(公告)号：CN107749389B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201711202249.0

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  M·巴克拉诺夫 ,  L·张 ,  J-F·德马尔内夫

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行蚀刻的方法，包括：重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定。

公开(公告)号：CN107749389A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201711202249.0

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  M·巴克拉诺夫 ,  L·张 ,  J-F·德马尔内夫

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行蚀刻的方法，包括：重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定。

公开(公告)号：CN101604658A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910145489.0

申请日：2009-06-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 笹原丽红 ,  田村纯 ,  田原慈

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供一种具有相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，能够实现以良好的形状形成布线，并且/或者实现在形成气隙后也能够抑制布线变质。具备相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，包括以下至少任意一个工序：在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之前对层间绝缘膜(2)进行疏水改性处理的工序；和在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之后对布线(6)进行疏水改性处理的工序。