公开(公告)号：CN101271859B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200710167432.1

申请日：2007-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋熊政一 ,  武藤慎司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明提供即使当在高温下进行处理时，也能够抑制喷镀膜产生损伤，从而能够防止由于绝缘不良而产生放电等的等离子体处理装置用结构体和等离子体处理装置。在基材(100)中形成有圆孔(101)，该圆孔(101)内设置有由绝缘性的陶瓷等构成的圆筒状的套筒(120)。套筒(120)以其顶部(121)位于圆孔(101)上端部的下侧规定距离的方式设置，使得套筒(120)与喷镀膜(110)不接触。在比顶部(121)更上侧的部分的圆孔(101)的侧壁部分上，形成有绝缘体层(130)。由喷镀膜(110)、套筒(120)、绝缘体层(130)构成覆盖基材(100)的上面(第一面)和圆孔(101)内侧面(第二面)的绝缘面。

公开(公告)号：CN101246836B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810074117.9

申请日：2008-02-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋熊政一 ,  佐佐木康晴 ,  青砥雅 ,  菊池英一郎

IPC: H01L21/683 ,  C23F4/00 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  C30B25/12

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明公开了一种防止基板的吸附不良以便提高基板处理设备的开工率的基板载置台。该基板载置台布置在基板处理设备中并具有在其上载置基板的基板载置表面。基板载置表面的算术平均粗糙度(Ra)不小于第一预定值，并且基板载置表面的初期磨损高度(Rpk)不大于第二预定值。

公开(公告)号：CN1310285C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200410038016.8

申请日：2004-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  樋熊政一 ,  武藤慎司 ,  藤原尚 ,  中山博之 ,  岛贯义纪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。

公开(公告)号：CN101276775B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810086917.2

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青砥雅 ,  菊池英一郎 ,  樋熊政一 ,  樋口公博

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875

Abstract: 一种载置台的表面处理方法，使安装表面能够与将形成的基片相符合，节省了时间和精力。将基片安装在载置台的安装表面上，该载置台位于基片处理设备的容纳室里，在该容纳室中对基片进行等离子体处理。所安装的基片受热膨胀。

公开(公告)号：CN1551293A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038016.8

申请日：2004-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  樋熊政一 ,  武藤慎司 ,  藤原尚 ,  中山博之 ,  岛贯义纪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。

公开(公告)号：CN101271859A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710167432.1

申请日：2007-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋熊政一 ,  武藤慎司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明提供即使当在高温下进行处理时，也能够抑制喷镀膜产生损伤，从而能够防止由于绝缘不良而产生放电等的等离子体处理装置用结构体和等离子体处理装置。在基材(100)中形成有圆孔(101)，该圆孔(101)内设置有由绝缘性的陶瓷等构成的圆筒状的套筒(120)。套筒(120)以其顶部(121)位于圆孔(101)上端部的下侧规定距离的方式设置，使得套筒(120)与喷镀膜(110)不接触。在比顶部(121)更上侧的部分的圆孔(101)的侧壁部分上，形成有绝缘体层(130)。由喷镀膜(110)、套筒(120)、绝缘体层(130)构成覆盖基材(100)的上面(第一面)和圆孔(101)内侧面(第二面)的绝缘面。

公开(公告)号：CN101041231A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089147.2

申请日：2007-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴 ,  樋熊政一 ,  青砥雅 ,  菊池英一郎

IPC: B24B21/04 ,  B24B7/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B1/00 ,  B24B21/04

Abstract: 本发明提供一种通过使静电卡盘的表面平滑从而能够提高其与基板的传热效率的表面处理方法。基板处理装置(10)具有收容晶片(W)的腔室(11)，该腔室(11)内配置有作为载置晶片(W)的载置台的基座(12)，该基座(12)的上部配置有静电卡盘(42a)。在静电卡盘(42a)中，首先，在其表面上形成喷镀膜(1)，接着，通过与固定有磨粒的圆盘状的砂轮(2)接触，对表面进行磨削，然后，通过与表面上喷涂有将磨粒和润滑剂混合而形成的悬浊液的研磨平板(3)接触，将表面磨削至平坦，通过对具有涂敷固着有磨粒(9)的带(5)和由弹性体构成的辊(6)的带研磨装置(4)施加压力，与带研磨装置(4)的带(5)接触，将表面磨削至平滑。

公开(公告)号：CN101041231B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200710089147.2

申请日：2007-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴 ,  樋熊政一 ,  青砥雅 ,  菊池英一郎

IPC: B24B21/04 ,  B24B7/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B1/00 ,  B24B21/04

Abstract: 本发明提供一种通过使静电卡盘的表面平滑从而能够提高其与基板的传热效率的表面处理方法。基板处理装置(10)具有收容晶片(W)的腔室(11)，该腔室(11)内配置有作为载置晶片(W)的载置台的基座(12)，该基座(12)的上部配置有静电卡盘(42a)。在静电卡盘(42a)中，首先，在其表面上形成喷镀膜(1)，接着，通过与固定有磨粒的圆盘状的砂轮(2)接触，对表面进行磨削，然后，通过与表面上喷涂有将磨粒和润滑剂混合而形成的悬浊液的研磨平板(3)接触，将表面磨削至平坦，通过对具有涂敷固着有磨粒(9)的带(5)和由弹性体构成的辊(6)的带研磨装置(4)施加压力，与带研磨装置(4)的带(5)接触，将表面磨削至平滑。

公开(公告)号：CN101276775A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086917.2

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青砥雅 ,  菊池英一郎 ,  樋熊政一 ,  樋口公博

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875

Abstract: 一种载置台的表面处理方法，使安装表面能够与将形成的基片相符合，节省了时间和精力。将基片安装在载置台的安装表面上，该载置台位于基片处理设备的容纳室里，在该容纳室中对基片进行等离子体处理。所安装的基片受热膨胀。

公开(公告)号：CN101246836A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810074117.9

申请日：2008-02-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋熊政一 ,  佐佐木康晴 ,  青砥雅 ,  菊池英一郎

IPC: H01L21/683 ,  C23F4/00 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  C30B25/12

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明公开了一种防止基板的吸附不良以便提高基板处理设备的开工率的基板载置台。该基板载置台布置在基板处理设备中并具有在其上载置基板的基板载置表面。基板载置表面的算术平均粗糙度(Ra)不小于第一预定值，并且基板载置表面的初期磨损高度(Rpk)不大于第二预定值。