公开(公告)号：CN1551293A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038016.8

申请日：2004-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  樋熊政一 ,  武藤慎司 ,  藤原尚 ,  中山博之 ,  岛贯义纪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。

公开(公告)号：CN1310285C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200410038016.8

申请日：2004-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  樋熊政一 ,  武藤慎司 ,  藤原尚 ,  中山博之 ,  岛贯义纪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。

公开(公告)号：CN101271859A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710167432.1

申请日：2007-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋熊政一 ,  武藤慎司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明提供即使当在高温下进行处理时，也能够抑制喷镀膜产生损伤，从而能够防止由于绝缘不良而产生放电等的等离子体处理装置用结构体和等离子体处理装置。在基材(100)中形成有圆孔(101)，该圆孔(101)内设置有由绝缘性的陶瓷等构成的圆筒状的套筒(120)。套筒(120)以其顶部(121)位于圆孔(101)上端部的下侧规定距离的方式设置，使得套筒(120)与喷镀膜(110)不接触。在比顶部(121)更上侧的部分的圆孔(101)的侧壁部分上，形成有绝缘体层(130)。由喷镀膜(110)、套筒(120)、绝缘体层(130)构成覆盖基材(100)的上面(第一面)和圆孔(101)内侧面(第二面)的绝缘面。

公开(公告)号：CN101271859B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200710167432.1

申请日：2007-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋熊政一 ,  武藤慎司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明提供即使当在高温下进行处理时，也能够抑制喷镀膜产生损伤，从而能够防止由于绝缘不良而产生放电等的等离子体处理装置用结构体和等离子体处理装置。在基材(100)中形成有圆孔(101)，该圆孔(101)内设置有由绝缘性的陶瓷等构成的圆筒状的套筒(120)。套筒(120)以其顶部(121)位于圆孔(101)上端部的下侧规定距离的方式设置，使得套筒(120)与喷镀膜(110)不接触。在比顶部(121)更上侧的部分的圆孔(101)的侧壁部分上，形成有绝缘体层(130)。由喷镀膜(110)、套筒(120)、绝缘体层(130)构成覆盖基材(100)的上面(第一面)和圆孔(101)内侧面(第二面)的绝缘面。

公开(公告)号：CN1294636C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN02810605.9

申请日：2002-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 武藤慎司 ,  田口千博 ,  冈山信幸

IPC: H01L21/68 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C4/02 ,  C23C4/18 ,  H01L21/6833 ,  Y10T279/23

Abstract: 等离子体处理装置的基座(10)、即基板台的静电吸盘(12)通过陶瓷喷涂形成。陶瓷喷涂层(12A)被甲基丙烯酸树脂(12D)进行封孔。通过使以甲基丙烯酸甲酯为主要成分的树脂原料液涂覆含浸在陶瓷喷涂层中并使其硬化，陶瓷喷涂层的陶瓷粒子之间的气孔被甲基丙烯酸树脂充填。由于甲基丙烯酸树脂原料液不在硬化时产生气孔，所以可以进行完全的封孔处理。

公开(公告)号：CN1511344A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN02810605.9

申请日：2002-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 武藤慎司 ,  田口千博 ,  冈山信幸

IPC: H01L21/68 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C4/02 ,  C23C4/18 ,  H01L21/6833 ,  Y10T279/23

Abstract: 等离子体处理装置的基座(10)、即基板台的静电吸盘(12)通过陶瓷喷涂形成。陶瓷喷涂层(12A)被甲基丙烯酸树脂(12D)进行封孔。通过使以甲基丙烯酸甲酯为主要成分的树脂原料液涂覆含浸在陶瓷喷涂层中并使其硬化，陶瓷喷涂层的陶瓷粒子之间的气孔被甲基丙烯酸树脂充填。由于甲基丙烯酸树脂原料液不在硬化时产生气孔，所以可以进行完全的封孔处理。

公开(公告)号：CN201387866Y

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200920006364.5

申请日：2009-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 武藤慎司

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 本实用新型提供一种等离子体处理装置。其能使匹配盒的升降驱动装置小型化，并可靠地电连接室和匹配盒。其中，该等离子体处理装置包括室(12)、匹配盒(21)和气缸(31)；该室(12)在内部含有上部电极(13)和下部电极(14)；该匹配盒(21)以装卸自如的状态与下部电极(14)电连接，对下部电极(14)供给高频电力；该气缸(31)固定在室(12)上，提起匹配盒(21)直到能与下部电极(14)相连接的位置。而且，下部电极(14)和匹配盒(21)由与一方连接的筒状的阴端子和与另一方连接而嵌入阴端子的内径表面中的阳端子电连接，至少阴端子以及阳端子中的任一方具有覆盖用于与另一方接触的接触面的弹性导电体。