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公开(公告)号：CN113675064A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110489743.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，抑制因蚀刻产生的形状异常，提高等离子体蚀刻的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部和偏置DC生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内，包括下部电极。源RF生成部生成用于在等离子体处理腔室内产生等离子体的、交替包含高状态和低状态的源RF信号。偏置DC生成部与下部电极连接，生成交替地包含接通状态和关断状态的偏置DC信号，接通状态的时段和关断状态的时段分别对应于源RF信号的高状态时段和低状态时段，各接通状态包含多个循环，各循环包含具有第一电压电平的第一脉冲的第一序列和具有与第一电压电平不同的第二电压电平的第二脉冲的第二序列。
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