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公开(公告)号：CN113594018B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110735397.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN102683148B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210039725.2
申请日：2012-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置与以往相比能够更细致地控制等离子体。该等离子体处理装置包括：第一接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露于处理空间的方式配置在处理腔室内，用于形成接地电位；第二接地构件，其与第一接地构件相对地设置在形成于处理腔室下部的排气空间内，由导电性材料形成，整体形状形成为环状，至少一部分暴露于排气空间，用于形成接地电位；接地棒，其在第一接地构件与第二接地构件之间上下运动，与第一接地构件及第二接地构件中的任一个接触，能够调整第一接地构件及第二接地构件的接地状态。
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公开(公告)号：CN110010437B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811464877.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN110010437A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811464877.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109937613A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201780069695.0
申请日：2017-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体喷镀装置，其具有：供给部，其利用等离子体生成气体来运送喷镀材料的粉末，并从前端部的开口喷射该喷镀材料的粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述等离子体生成气体来生成与所述供给部具有共同的芯轴的等离子体；磁场产生部，其在所述等离子体的生成空间中产生磁场；以及控制部，其控制所述磁场产生部，来控制所述生成的等离子体的偏转。
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公开(公告)号：CN109937613B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201780069695.0
申请日：2017-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体喷镀装置，其具有：供给部，其利用等离子体生成气体来运送喷镀材料的粉末，并从前端部的开口喷射该喷镀材料的粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述等离子体生成气体来生成与所述供给部具有共同的芯轴的等离子体射流；磁场产生部，其在所述等离子体的生成空间中产生磁场；以及控制部，其控制所述磁场产生部，来控制所述生成的等离子体的偏转。
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公开(公告)号：CN113594018A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110735397.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN113496864A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110313206.X
申请日：2021-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：能够收纳多个基片的腔室；设置在所述腔室的内部的用于支承各基片的多个基片支承台；多个高频电源，其与所述多个基片支承台对应地设置，对该基片支承台供给高频电功率；和多个屏蔽件，其以划分所述腔室的内部的方式与所述多个基片支承台对应地设置，界定能够生成等离子体的处理空间，在所述多个屏蔽件之间形成有互不干涉的高频电流的路径。根据本发明，能够在等离子体处理装置中对多个基片进行均匀的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN102683148A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210039725.2
申请日：2012-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置与以往相比能够更细致地控制等离子体。该等离子体处理装置包括：第一接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露于处理空间的方式配置在处理腔室内，用于形成接地电位；第二接地构件，其与第一接地构件相对地设置在形成于处理腔室下部的排气空间内，由导电性材料形成，整体形状形成为环状，至少一部分暴露于排气空间，用于形成接地电位；接地棒，其在第一接地构件与第二接地构件之间上下运动，与第一接地构件及第二接地构件中的任一个接触，能够调整第一接地构件及第二接地构件的接地状态。
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