公开(公告)号：CN112786442A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011217178.3

申请日：2020-11-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺嶋亮 ,  酒井让

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种对有机膜的蚀刻形状不良进行抑制的等离子体处理方法及等离子体处理装置。该等离子体处理方法通过在有机膜上由含硅膜形成且具有开口部的掩模，对所述有机膜进行蚀刻，该等离子体处理方法具有：对所述掩模的形状进行修复的工序，其中，对所述掩模的形状进行修复的工序包括：对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序；以及对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN117438272A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310821015.3

申请日：2023-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩佐琥伟 ,  谷川雄洋 ,  户来雅也 ,  大嶋一辉 ,  酒井让

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供使蚀刻形状提高并且抑制在等离子体处理装置中的异常放电的技术。提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备与下部电极耦合的第一射频信号生成器以及第二射频信号生成器和与上部电极耦合的直流信号生成器。第一射频信号在重复期间内的第一状态期间有第一功率电平，在重复期间内的第二状态期间有比第一功率电平小的第二功率电平，在重复期间内的第三状态期间有第二功率电平。第二射频信号在第一状态期间有第三功率电平，在第二状态期间有比第三功率电平大的第四功率电平，在第三状态期间有第三功率电平。直流信号在第一状态期间有第一电压电平，在第二状态期间有第二电压电平，第一电压电平的绝对值比第二电压电平的绝对值大。

公开(公告)号：CN117174563A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310604937.9

申请日：2023-05-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 四本松康太 ,  田中康基 ,  酒井让 ,  舆水地塩

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供一种能够抑制等离子体处理腔室内的压力变动的技术。本公开涉及的等离子体处理装置具备：腔室；向腔室内供给处理气体的气体供给部；在腔室内生成由处理气体生成等离子体的源射频信号的电源；事先存储作为源射频信号的参数的设定值的源设定值的存储部；与腔室连接的压力调节阀，构成为调节腔室的内部压力；计算压力调节阀的开度的开度计算部，开度基于源设定值计算；以及基于计算的开度控制压力调节阀的开度的开度控制部。还提供一种等离子体处理方法、压力阀控制装置、压力阀控制方法以及压力调节系统。

公开(公告)号：CN113496864A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110313206.X

申请日：2021-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 东原敬 ,  古谷直一 ,  田室阳介 ,  酒井让

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：能够收纳多个基片的腔室；设置在所述腔室的内部的用于支承各基片的多个基片支承台；多个高频电源，其与所述多个基片支承台对应地设置，对该基片支承台供给高频电功率；和多个屏蔽件，其以划分所述腔室的内部的方式与所述多个基片支承台对应地设置，界定能够生成等离子体的处理空间，在所述多个屏蔽件之间形成有互不干涉的高频电流的路径。根据本发明，能够在等离子体处理装置中对多个基片进行均匀的等离子体处理。

公开(公告)号：CN117476427A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310894923.5

申请日：2023-07-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  酒井让

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置。高精度地控制等离子体处理容器内的排气压力。提供一种等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置具备：等离子体处理容器；基板支承部，其配置于等离子体处理容器内；可动构件和静止构件，它们配置于基板支承部的周围，可动构件具有多个动叶片，多个动叶片能够旋转，静止构件具有多个静叶片，多个动叶片和多个静叶片沿着等离子体处理容器的高度方向交替地排列，在可动构件和静止构件的下方形成有排气空间；第1驱动部，其构成为使可动构件旋转；压力调整构件，其以能够移动的方式配置于基板支承部的周围、且是可动构件和静止构件的上部；以及第2驱动部，其构成为使压力调整构件移动。

公开(公告)号：CN115772642A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211084997.4

申请日：2022-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 酒井让 ,  西田辰夫

IPC: C23C4/134

Abstract: 本发明涉及等离子体喷镀装置。提供一种能够抑制粉末附着于喷嘴而提高生产率的技术。等离子体喷镀装置包括：喷嘴主体，其具有能够供气体和粉末流通的呈直线状延伸的通路；以及第1电极，其以能够装卸的方式设于喷嘴主体的前端，具有与通路连通并能够喷出气体和粉末的喷出口，该第1电极具有与喷嘴主体的中心轴线共有的轴线。此外，等离子体喷镀装置包括设于第1电极的外侧且具有与喷嘴主体的中心轴线共有的轴线的第2电极。该等离子体喷镀装置在第1电极和第2电极之间生成气体的等离子体，利用等离子体使从喷出口喷射出的粉末熔融，通过将熔融的粉末向基材吹送而形成喷镀膜。此外，喷出口的内径比通路的内径大。