-
公开(公告)号：CN113496864A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110313206.X
申请日：2021-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：能够收纳多个基片的腔室；设置在所述腔室的内部的用于支承各基片的多个基片支承台；多个高频电源，其与所述多个基片支承台对应地设置，对该基片支承台供给高频电功率；和多个屏蔽件，其以划分所述腔室的内部的方式与所述多个基片支承台对应地设置，界定能够生成等离子体的处理空间，在所述多个屏蔽件之间形成有互不干涉的高频电流的路径。根据本发明，能够在等离子体处理装置中对多个基片进行均匀的等离子体处理。
Search Results
1
records
(took 0.021 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
