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公开(公告)号：CN109196960B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201780032809.4
申请日：2017-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 鸟井夏实
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够实现高速匹配动作的匹配器。一实施方式的匹配器具备串联部、并联部及一个以上的可变直流电源。串联部包含具有可变电容的第1二极管，且设置于高频输入端与高频输出端之间。并联部包含具有可变电容的第2二极管，且设置于输入端与输出端之间的节点及地之间。一个以上的可变直流电源以对第1二极管及第2二极管施加可变反向偏置电压的方式而设置。
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公开(公告)号：CN109087843A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810612044.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够校正向基板入射的离子的入射方向的倾斜并且能够抑制基板与聚焦环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理装置中，使来自第一高频电源和第二高频电源中的至少一方的高频电源的高频的供给周期性地停止。从比给来自第一高频电源和第二高频电源的双方的高频的各期间的开始时间点延迟的时间点起，向聚焦环施加直流电压。在停止来自至少一方的高频电源的高频的供给的各期间中，停止向聚焦环施加直流电压。
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公开(公告)号：CN115705987A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210948653.7
申请日：2022-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和蚀刻方法。等离子体处理装置具有：包括下部电极、静电吸盘和边缘环的基片支承体；使边缘环在纵向移动的驱动装置；上部电极；生成源RF电源；偏置RF电源；与边缘环接触的至少1个导体；经由至少1个导体对边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；RF滤波器，其电连接于至少1个导体与直流电源之间，包含至少1个可变无源元件；和控制部，其控制驱动装置和至少1个可变无源元件，来调节等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。根据本发明，能够在等离子体处理中适当地控制等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。
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公开(公告)号：CN114582696A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111413523.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 鸟井夏实
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供配线异常的检测方法和等离子体处理装置，能够恰当地检测等离子体处理装置的直流电源系统中的配线异常。一种等离子体处理装置中的配线异常的检测方法，等离子体处理装置具有腔室、载置台、直流电源系统和电流表，直流电源系统构成直流电源、高频滤波器和直流电压施加部件依次电连接的电路，其中，直流电源用于施加直流电压，高频滤波器用于除去高频成分，直流电压施加部件为直流电压的施加对象，检测方法包括：利用直流电源施加直流电压的步骤；测量在构成直流电源系统的电路中流动的电流的步骤；和将电流的测量值和预先确定的阈值进行比较的步骤，在测量值为阈值以上的情况下，判断为在构成直流电源系统的电路中产生了配线异常。
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公开(公告)号：CN113594015A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110429107.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种对基片进行蚀刻的装置，其包括：腔室；基片支承体，其设置在所述腔室的内部，具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环；高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；和阻抗可变的RF滤波器。所述边缘环和所述RF滤波器经由连接部直接电连接。根据本发明，能够在蚀刻中适当地控制基片的边缘区域的倾斜角度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109087843B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810612044.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够校正向基板入射的离子的入射方向的倾斜并且能够抑制基板与聚焦环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理装置中，使来自第一高频电源和第二高频电源中的至少一方的高频电源的高频的供给周期性地停止。从比给来自第一高频电源和第二高频电源的双方的高频的各期间的开始时间点延迟的时间点起，向聚焦环施加直流电压。在停止来自至少一方的高频电源的高频的供给的各期间中，停止向聚焦环施加直流电压。
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公开(公告)号：CN119948606A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380067291.3
申请日：2023-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；包括下部电极、静电吸盘和边缘环的基片支承体；配置在基片支承体的上方的上部电极；向上部电极或下部电极供给生成源RF电功率的生成源RF电源；向下部电极供给偏置电功率的偏置电源；向边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；包括至少一个可变无源元件的RF滤波器，其电连接在边缘环与直流电源之间；和控制部，其构成为能够控制直流电源和可变无源元件，以控制等离子体中的离子相对于载置在静电吸盘上的基片的边缘区域的入射角度，并且将偏置电功率的电压控制在允许范围。
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公开(公告)号：CN113948364A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110773998.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供能够在等离子体处理中恰当地控制基片的边缘区域的倾斜角度、并抑制基片与边缘环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内部的载置台，其具有电极、设置在电极上的静电卡盘、和以包围被载置在静电卡盘上的基片的方式配置在该静电卡盘上的边缘环；高频电源，其用于供给用于从腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；直流电源，其用于对边缘环施加负极性的直流电压；和控制部，其用于控制高频电功率和直流电压。执行包括下述步骤的处理：步骤(a)，停止供给高频电功率，并且停止施加直流电压；和步骤(b)，开始供给高频电功率，经过预先设定的延迟时间后，开始施加直流电压。
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公开(公告)号：CN115841938A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211119678.2
申请日：2022-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 鸟井夏实
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和蚀刻方法，其能够在等离子体处理中适当地控制等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。等离子体处理装置包括：基片支承体，其包括：下部电极；用于支承基片的基片支承面；和以包围基片的方式配置的边缘环；配置于下部电极的上方的上部电极；电源部，其包括：构成为能够对上部电极或下部电极提供生成源电功率的生成源电源；和至少一个偏置电源，其构成为能够对下部电极提供一个或频率不同的两个以上的偏置电功率；与边缘环电连接的至少一个可变无源元件；和至少一个旁通电路，其将电源部与边缘环电连接，构成为能够对边缘环提供选自生成源电功率和至少一者偏置电功率中的至少一个电功率的一部分。
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公开(公告)号：CN115810531A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211083851.8
申请日：2022-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够改善等离子体处理中的基片的边缘区域处的倾斜角度的控制性和基片与边缘环之间的异常放电中的至少一者。等离子体处理装置是对基片进行等离子体处理的装置，包括：腔室；配置于上述腔室内的基片支承体，其具有基座、上述基座上的静电吸盘和以包围载置于上述静电吸盘上的基片的方式配置的边缘环；高频电源，其供给用于从上述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；对上述边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；控制上述直流电压的波形的波形控制元件；以及控制部，其调整上述波形控制元件的常数来控制上述直流电压达到所希望的值为止的时间。
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