等离子体处理装置和蚀刻方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119948606A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202380067291.3

    申请日:2023-08-09

    Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括:等离子体处理腔室;包括下部电极、静电吸盘和边缘环的基片支承体;配置在基片支承体的上方的上部电极;向上部电极或下部电极供给生成源RF电功率的生成源RF电源;向下部电极供给偏置电功率的偏置电源;向边缘环施加负极性的直流电压的直流电源;包括至少一个可变无源元件的RF滤波器,其电连接在边缘环与直流电源之间;和控制部,其构成为能够控制直流电源和可变无源元件,以控制等离子体中的离子相对于载置在静电吸盘上的基片的边缘区域的入射角度,并且将偏置电功率的电压控制在允许范围。

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