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公开(公告)号：CN102299067B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110175740.5
申请日：2011-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。该基板处理方法能对基板实施均匀的等离子处理且能充分地响应一腔室多处理的要求。基板处理装置(10)具有：容纳晶圆(W)的腔室(11)、配置在腔室内、用于载置晶圆的基座(12)、与基座相对配置的上部电极(24)、与基座相连接的第2高频电源(16)，上部电极与接地构件(36)电连接，使上部电极能够相对于基座移动，在上部电极中埋入电介质(26)，将在处理空间(PS)中产生的等离子体与接地构件(36)之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，而且，通过改变上部电极与基座之间的间隙(G)来改变上部电极与基座之间的等离子体密度。
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公开(公告)号：CN118897770A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410502689.1
申请日：2024-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种计算机程序产品、信息处理装置、信息处理方法以及计算机可读存储介质，能够基于在检查器中测定出的热通量来估计实机中的基板温度的面内分布。用于使计算机执行以下处理：从具备收容热源和基板载置台的检查腔室的检查器获取对载置于所述基板载置台的基板按时间序列测量基板温度的面内分布而获得的温度数据；基于获取到的温度数据，来计算所述基板载置台中的热通量的面内分布；以及基于计算出的热通量的面内分布，使用模拟实机中的热现象的热回路模型来估计所述基板载置台搭载于实机的情况下的基板温度的面内分布。
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公开(公告)号：CN104282523B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410521359.3
申请日：2011-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供基板处理装置。该基板处理装置具有：用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与下部电极相连接的高频电源；上部电极与下部电极之间的处理空间；与上部电极电连接的接地构件，上部电极与下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，并且，在上部电极的至少一部分中埋入有电介质，在处理空间中产生的等离子体与接地构件之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，上部电极与下部电极之间的间隔能够改变，电介质的厚度是根据蚀刻率相对于上部电极和下部电极之间的间隔变化的依赖程度来设定的。
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公开(公告)号：CN100521111C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710128153.4
申请日：2007-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，即使规定的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件，也能够同时获得良好的开口性以及蚀刻性。向处理容器(10)内搬入依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜和图案化的光致抗蚀剂膜的半导体晶片(W)，载置于下部电极(16)，接着向处理容器(10)内供给含有CxFy、稀有气体、O2的气体作为处理气体，向上部电极(34)施加用于等离子体生成的高频波，向下部电极(16)施加用于偏置的高频波，生成处理气体的等离子体，蚀刻氧化膜，在晶片温度或图案形状等的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件的情况下，向上部电极(34)施加规定的直流电压，以获得良好的蚀刻开口性。
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公开(公告)号：CN104282523A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410521359.3
申请日：2011-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供基板处理装置。该基板处理装置具有：用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与下部电极相连接的高频电源；上部电极与下部电极之间的处理空间；与上部电极电连接的接地构件，上部电极与下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，并且，在上部电极的至少一部分中埋入有电介质，在处理空间中产生的等离子体与接地构件之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，上部电极与下部电极之间的间隔能够改变，电介质的厚度是根据蚀刻率相对于上部电极和下部电极之间的间隔变化的依赖程度来设定的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102254777A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110076088.1
申请日：2011-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
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公开(公告)号：CN101106086A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710128153.4
申请日：2007-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，即使规定的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件，也能够同时获得良好的开口性以及蚀刻性。向处理容器(10)内搬入依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜和图案化的光致抗蚀剂膜的半导体晶片(W)，载置于下部电极(16)，接着向处理容器(10)内供给含有CxFy、稀有气体、O2的气体作为处理气体，向上部电极(34)施加用于等离子体生成的高频波，向下部电极(16)施加用于偏置的高频波，生成处理气体的等离子体，蚀刻氧化膜，在晶片温度或图案形状等的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件的情况下，向上部电极(34)施加规定的直流电压，以获得良好的蚀刻开口性。
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公开(公告)号：CN105742150A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610214055.1
申请日：2011-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
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公开(公告)号：CN102280339B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110157803.4
申请日：2011-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，该基板处理装置能够防止上部电极消耗且能提高处理空间中的等离子体的密度分布的控制性。基板处理装置包括：基座，其与第1高频电源相连接且用于载置晶圆；上部电极板，其与该基座相对地配置；处理空间，其位于基座与上部电极板之间，该基板处理装置利用等离子体对晶圆实施等离子蚀刻处理，基板处理装置具有覆盖上部电极板中的与处理空间面对的部分的电介质板，上部电极板被分割成与晶圆的中央部相对的内侧电极和与晶圆的周缘部相对的外侧电极，内侧电极与外侧电极彼此电绝缘，自第2可变直流电源对内侧电极施加正的直流电压，并且使外侧电极接地。
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公开(公告)号：CN102299067A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110175740.5
申请日：2011-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。该基板处理方法能对基板实施均匀的等离子处理且能充分地响应一腔室多处理的要求。基板处理装置(10)具有：容纳晶圆(W)的腔室(11)、配置在腔室内、用于载置晶圆的基座(12)、与基座相对配置的上部电极(24)、与基座相连接的第2高频电源(16)，上部电极与接地构件(36)电连接，使上部电极能够相对于基座移动，在上部电极中埋入电介质(26)，将在处理空间(PS)中产生的等离子体与接地构件(36)之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，而且，通过改变上部电极与基座之间的间隙(G)来改变上部电极与基座之间的等离子体密度。
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