公开(公告)号：CN113053717A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011500750.7

申请日：2020-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐竹大辅

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及载置台、基板处理装置以及导热气体供给方法。能够防止载置台的接合所使用的粘接剂的劣化。提供载置台，其具有：销贯穿路径，其构成为贯穿用于载置基板的载置台，供升降销贯穿；导热气体供给路径，其构成为贯穿所述载置台，用于向所述载置台的载置面导入导热气体；共用气体供给路径，其构成为使所述销贯穿路径和所述导热气体供给路径连通，供导热气体流通；以及第1构件，其构成为在所述销贯穿路径和所述共用气体供给路径相交的位置以与所述共用气体供给路径相面对的方式配置，用于调整从所述销贯穿路径向所述载置台的载置面上导入的导热气体的流量。

公开(公告)号：CN118897770A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410502689.1

申请日：2024-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介 ,  佐竹大辅 ,  安部拓真 ,  和田畅弘

IPC: G06F11/30 ,  G06F1/20

Abstract: 本公开提供一种计算机程序产品、信息处理装置、信息处理方法以及计算机可读存储介质，能够基于在检查器中测定出的热通量来估计实机中的基板温度的面内分布。用于使计算机执行以下处理：从具备收容热源和基板载置台的检查腔室的检查器获取对载置于所述基板载置台的基板按时间序列测量基板温度的面内分布而获得的温度数据；基于获取到的温度数据，来计算所述基板载置台中的热通量的面内分布；以及基于计算出的热通量的面内分布，使用模拟实机中的热现象的热回路模型来估计所述基板载置台搭载于实机的情况下的基板温度的面内分布。

公开(公告)号：CN115513028A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210661902.4

申请日：2022-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大槻兴平 ,  山口伸 ,  佐竹大辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置和静电吸盘。基片处理装置包括腔室、基片支承部和至少1个控制阀，所述基片支承部配置在所述腔室内，具有至少1个第1气体供给路径，所述基片支承部具有基座和配置在所述基座上的具有上表面的静电吸盘，所述上表面具有多个突起和第1环状槽组，所述第1环状槽组包含第1内侧环状槽、第1中间环状槽和第1外侧环状槽，所述第1内侧环状槽、所述第1中间环状槽和所述第1外侧环状槽中的任意者与所述至少1个第1气体供给路径连通，所述至少1个控制阀构成为能够对经由所述至少1个第1气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制。根据本发明，能够适当地控制基片的温度，提高基片面内的等离子体处理的均匀性。

公开(公告)号：CN112349645A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010760225.2

申请日：2020-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐竹大辅

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供载置台和基板处理装置。防止载置台所使用的粘接层的消耗。载置台具有：晶圆载置部，其具有载置晶圆的载置面，并形成有第1贯通孔；基台，其利用第1粘接层与所述晶圆载置部的背面粘接，并形成有与所述第1贯通孔连通的第2贯通孔，该第2贯通孔具有比所述第1贯通孔的孔径大的孔径；筒状的套筒，其以能够与密封构件一起相对于所述基台拆卸的方式设于所述第2贯通孔的内部；以及所述密封构件，其以与所述第1粘接层分离开的方式设于所述晶圆载置部的背面与所述套筒之间，而密封所述第1粘接层，以沿着所述套筒的顶端的外周和内周中的至少任一者延伸的方式在所述套筒的周向上形成有凸部，所述密封构件被所述套筒的顶端推压而伸缩。