公开(公告)号：CN112397375A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010766022.4

申请日：2020-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  田所昌洋

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供基片和基片处理方法。基片包括：作为蚀刻的对象的被蚀刻膜；和第1膜。第1膜形成于被蚀刻膜上，由与被蚀刻膜相比对于蚀刻的蚀刻速率低的材料形成。第1膜中，在表面的一方向以第1间隔形成有多个第1开口。第1膜中，在一方向的多个第1开口的外侧，以距最外侧的第1开口和第1间隔相同程度的第2间隔且比第1开口宽的宽度，形成有与第1开口相比深度浅的第2开口。本发明能够抑制形成于被蚀刻膜的各开口的形状之间产生差异。

公开(公告)号：CN111799170A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010221800.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后平拓 ,  田所昌洋

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为-30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i)，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i)，对于i可取的所有的值，对所有的J(i)×N(i)/M(i)求和而得的值为Ua，蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为J(k)，第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为H(k)，对于k可取的所有的值，对所有的J(k)×H(k)求和而得的值为Ub的情况下，使Ua/Ub满足0.04＜Ua/Ub＜0.22。由此，对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。

公开(公告)号：CN111799170B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202010221800.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后平拓 ,  田所昌洋

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为‑30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i)，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i)，对于i可取的所有的值，对所有的J(i)×N(i)/M(i)求和而得的值为Ua，蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为J(k)，第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为H(k)，对于k可取的所有的值，对所有的J(k)×H(k)求和而得的值为Ub的情况下，使Ua/Ub满足0.04＜Ua/Ub＜0.22。由此，对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。

公开(公告)号：CN114093761A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110942114.8

申请日：2021-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  后平拓 ,  宋孝锡 ,  田所昌洋 ,  沼田健太郎 ,  八重樫圭太

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的课题在于提供在使硅氧化膜与硅膜交替地层叠的层叠膜的蚀刻时，提高选择比的技术。本发明提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备上述基板的步骤；将上述基板的表面温度冷却至‑40℃以下的步骤；通过等离子体生成用的高频电力来生成含有氢和氟的气体的等离子体的步骤；以及通过生成的等离子体将上述层叠膜进行蚀刻的步骤。