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公开(公告)号：CN114093761A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110942114.8
申请日：2021-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明的课题在于提供在使硅氧化膜与硅膜交替地层叠的层叠膜的蚀刻时，提高选择比的技术。本发明提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备上述基板的步骤；将上述基板的表面温度冷却至‑40℃以下的步骤；通过等离子体生成用的高频电力来生成含有氢和氟的气体的等离子体的步骤；以及通过生成的等离子体将上述层叠膜进行蚀刻的步骤。
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