公开(公告)号：CN102856149A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210216909.1

申请日：2012-06-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  大岭治树 ,  纲本哲 ,  长池宏史

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32944 ,  H01L21/67288

Abstract: 本发明提供能够提高异常放电的判定精度、且降低数据处理的负荷的异常检测装置和异常检测方法。一种异常检测装置，具备：监视部，其监视载置于处理室（C）内的晶片（W）即等离子体处理后的晶片从脱离开始直到打开输送闸阀的动作，将所述动作规定为晶片脱离时的动作；取得部，在被规定的所述晶片脱离时的动作中，取得从定向耦合器输出的行波或反射波中的至少任一种高频信号，所述定向耦合器设置于对所述处理室内施加高频电力的高频电源和匹配器之间或设置于作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极和所述匹配器之间；分析部，其分析取得的所述高频信号的波形图案；和异常判定部，其基于所述高频信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。

公开(公告)号：CN118786514A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380024123.6

申请日：2023-03-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 平野贤 ,  山本能吏 ,  久保敬 ,  大岭治树 ,  狐塚正树 ,  北尾俊博

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种提高进行基片的温度调节时的调节精度的分析装置、基片处理系统、基片处理装置、分析方法和分析程序。分析装置具有：学习部，其构成为能够使用在处于第1真空环境下的处理空间中设置于基片支承部的被分割了的各区域的温度调节元件的设定参数、和作为由所述基片支承部支承的基片的各位置的温度数据的第1温度数据组来进行学习处理，生成学习完成模型；和计算部，其构成为能够使用所述学习完成模型，计算与所述基片的目标温度相应的各温度调节元件的设定参数。