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公开(公告)号：CN111238646B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201911155829.8
申请日：2019-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种红外线摄像机的校正方法和红外线摄像机的校正系统，能够提高红外线摄像机的温度的检测精度，包括取得工序、校正值计算工序、插补曲线确定工序、和保存工序。在取得工序中，载置基板的载置台被设定为多个不同的温度，在各温度下由红外线摄像机取得来自载置台的上表面的多个区域各自的红外线的放射量的检测值。在校正值计算工序中，在各温度下计算设置有温度传感器的区域即基准区域的检测值与其它区域的检测值的差量来作为校正值。在插补曲线确定工序中，对各区域确定表示相对于基准区域的检测值的校正值的变化趋势的插补曲线。在保存工序中，保存规定对各个区域确定的插补曲线的参数。
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公开(公告)号：CN118786514A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024123.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种提高进行基片的温度调节时的调节精度的分析装置、基片处理系统、基片处理装置、分析方法和分析程序。分析装置具有：学习部，其构成为能够使用在处于第1真空环境下的处理空间中设置于基片支承部的被分割了的各区域的温度调节元件的设定参数、和作为由所述基片支承部支承的基片的各位置的温度数据的第1温度数据组来进行学习处理，生成学习完成模型；和计算部，其构成为能够使用所述学习完成模型，计算与所述基片的目标温度相应的各温度调节元件的设定参数。
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公开(公告)号：CN115580974A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210668822.1
申请日：2022-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种测定方法和测定装置。测定方法包括工序(a)、工序(b)、工序(c)以及工序(d)。在工序(a)中，使用受光元件，按每个不同的曝光时间测定从在等离子体处理装置内生成的等离子体检测出的光的每个波长的发光强度。在工序(b)中，针对构成预先决定的波长范围的多个不同的个别波长范围，分别确定以使个别波长范围中包含的预先决定的波长的发光强度成为预先决定的范围内的发光强度的曝光时间测定出的个别波长范围中的发光强度的分布。在工序(c)中，从确定出的发光强度的分布中选择个别波长范围的发光强度的分布。在工序(d)中，输出按每个个别波长范围选择出的发光强度的分布。
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公开(公告)号：CN111238646A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911155829.8
申请日：2019-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种红外线摄像机的校正方法和红外线摄像机的校正系统，能够提高红外线摄像机的温度的检测精度，包括取得工序、校正值计算工序、插补曲线确定工序、和保存工序。在取得工序中，载置基板的载置台被设定为多个不同的温度，在各温度下由红外线摄像机取得来自载置台的上表面的多个区域各自的红外线的放射量的检测值。在校正值计算工序中，在各温度下计算设置有温度传感器的区域即基准区域的检测值与其它区域的检测值的差量来作为校正值。在插补曲线确定工序中，对各区域确定表示相对于基准区域的检测值的校正值的变化趋势的插补曲线。在保存工序中，保存规定对各个区域确定的插补曲线的参数。
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