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公开(公告)号：CN118645429A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410250009.1
申请日：2024-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统，能够抑制蚀刻的形状异常。所提供的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，提供具有层叠膜和层叠膜上的掩模的基板，所述层叠膜包含至少两种不同的含硅膜；工序(b)，使用从第一处理气体生成的等离子体对层叠膜进行蚀刻，来在层叠膜形成凹部；以及工序(c)，向层叠膜的凹部供给氟化氢。
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公开(公告)号：CN110176400B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201910115973.2
申请日：2019-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种处理方法。一实施方式的处理方法中，被加工物的第1氮化区域被蚀刻。第1氮化区域设置于硅制的第1凸部上。被加工物还具有第2凸部、第2氮化区域及有机区域。第2凸部为硅制，第2氮化区域含硅及氮，并设置于第2凸部上。有机区域覆盖第1及第2凸部以及第1及第2氮化区域。处理方法中，有机区域局部被蚀刻而露出第1氮化区域。接着，以覆盖由被加工物制成的中间产物的表面的方式形成硅氧化膜。接着，蚀刻硅氧化膜以便露出第1氮化区域的上表面。接着，第1氮化区域被各向同性地蚀刻。
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公开(公告)号：CN111819665A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017815.1
申请日：2019-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H05H1/46
Abstract: 蚀刻方法包括：在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中被处理体具有：处理对象膜；形成于处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜及各凸部的第一膜；第一蚀刻步骤，其以使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态对第二膜进行蚀刻；以及第二蚀刻步骤，其在使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态下对第一膜进行蚀刻，由此使各凸部的顶部和多个凸部之间的处理对象膜露出。
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公开(公告)号：CN117096027A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310564019.8
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。本公开涉及的等离子体处理方法为在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包含(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具有包含第一含硅膜的蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的第一含金属膜，所述第一含金属膜包含开口图案；以及(b)蚀刻所述蚀刻对象膜的工序。所述(b)包含向所述腔室内供给包含含碳、氢以及氟的一种以上的气体的处理气体，在所述腔室内由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述第一含硅膜而在所述第一含硅膜上形成所述开口图案的工序，所述处理气体所包含的氢原子的数量与氟原子的数量的比例为0.3以上。还提供一种等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN114649205A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111500788.9
申请日：2021-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，用于抑制通过蚀刻而形成的凹部的侧壁的形状不良。例示的实施方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板，该基板具有形成有凹部的蚀刻对象膜；工序(b)，在凹部的侧壁形成保护膜；工序(c)，在工序(b)之后，从处理气体生成等离子体来蚀刻凹部的底部；以及工序(d)，将包括工序(b)和工序(c)的序列实施一次以上。其中，工序(c)包括：第一阶段，抑制由于在蚀刻中生成的反应副产物附着于侧壁而产生的肩部的形成，并蚀刻凹部的底部；以及第二阶段，在第一阶段之后将基板支承器的温度控制为‑40℃以下，来进一步蚀刻凹部的底部。
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公开(公告)号：CN115881531A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211137721.8
申请日：2022-09-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/316
Abstract: 本公开涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置，提高通过蚀刻形成的图案的垂直加工性。蚀刻方法包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)提供具有不包含氧及氮的含硅膜、以及形成于含硅膜上的掩模的基板。工序b)利用包含含卤气体的第一处理气体的等离子体对含硅膜进行蚀刻来形成凹部。工序c)利用包含含氧气体以及含有碳、氢及氟的气体的第二处理气体的等离子体在凹部形成氧化膜。工序d)在工序c)之后，利用第一处理气体的等离子体进一步对含硅膜进行蚀刻。工序e)将工序c)和工序d)重复执行预先设定的次数。在该蚀刻方法中，在工序e)中变更工序c)和工序d)中的至少一方的处理条件，由此变更形成的氧化膜的厚度。
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公开(公告)号：CN114823329A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210071088.0
申请日：2022-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在基板上形成的图案的形状异常的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具有如下工序：工序a，在该工序a中，提供具备蚀刻对象膜、在蚀刻对象膜上形成的第1掩模、以及第2掩模的基板的工序，该第2掩模形成于第1掩模上，膜种与第1掩模的膜种不同，具有开口；工序b，在该工序b中，相对于第2掩模选择性地蚀刻第1掩模、形成第1掩模的至少局部的开口尺寸比第2掩模的底部的开口尺寸大的开口的工序；以及工序c，在该工序c中，蚀刻蚀刻对象膜的工序。
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公开(公告)号：CN119698689A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059568.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供改善蚀刻形状的技术。提供一种蚀刻方法，其包括下述工序：提供包括第一膜和第一膜上的第二膜的基板工序，且第一膜包含硅，第二膜包含至少1个开口；以及，由处理气体生成等离子体并对第一膜进行蚀刻的工序，且处理气体包含氟化氢气体、第一含卤素气体以及含磷气体，第一含卤素气体至少包含碳和除氟以外的卤素。
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公开(公告)号：CN113270315A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110067048.4
申请日：2021-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN110176400A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910115973.2
申请日：2019-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种处理方法。一实施方式的处理方法中，被加工物的第1氮化区域被蚀刻。第1氮化区域设置于硅制的第1凸部上。被加工物还具有第2凸部、第2氮化区域及有机区域。第2凸部为硅制，第2氮化区域含硅及氮，并设置于第2凸部上。有机区域覆盖第1及第2凸部以及第1及第2氮化区域。处理方法中，有机区域局部被蚀刻而露出第1氮化区域。接着，以覆盖由被加工物制成的中间产物的表面的方式形成硅氧化膜。接着，蚀刻硅氧化膜以便露出第1氮化区域的上表面。接着，第1氮化区域被各向同性地蚀刻。
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