公开(公告)号：CN111463123A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010016949.6

申请日：2020-01-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 星高行 ,  本田昌伸 ,  田端雅弘 ,  久松亨

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供蚀刻膜的方法。在一实施方式中，提供蚀刻基片的膜的方法。基片具有膜和形成于该膜上的掩模。方法包括在掩模的上表面之上选择性地形成沉积物的步骤。方法在形成沉积物的步骤后，还包括蚀刻膜的步骤。进行蚀刻的步骤包括在基片上形成处理气体的等离子体中所含的化学种的层的步骤。进行蚀刻的步骤还包括为了使化学种与膜反应，而从非活性气体的等离子体对基片供给离子的步骤。本发明能够抑制膜的蚀刻导致的掩模的膜厚减少。

公开(公告)号：CN111463123B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202010016949.6

申请日：2020-01-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 星高行 ,  本田昌伸 ,  田端雅弘 ,  久松亨

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供蚀刻膜的方法。在一实施方式中，提供蚀刻基片的膜的方法。基片具有膜和形成于该膜上的掩模。方法包括在掩模的上表面之上选择性地形成沉积物的步骤。方法在形成沉积物的步骤后，还包括蚀刻膜的步骤。进行蚀刻的步骤包括在基片上形成处理气体的等离子体中所含的化学种的层的步骤。进行蚀刻的步骤还包括为了使化学种与膜反应，而从非活性气体的等离子体对基片供给离子的步骤。本发明能够抑制膜的蚀刻导致的掩模的膜厚减少。

公开(公告)号：CN114649205A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111500788.9

申请日：2021-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泷野裕辅 ,  星高行

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，用于抑制通过蚀刻而形成的凹部的侧壁的形状不良。例示的实施方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板，该基板具有形成有凹部的蚀刻对象膜；工序(b)，在凹部的侧壁形成保护膜；工序(c)，在工序(b)之后，从处理气体生成等离子体来蚀刻凹部的底部；以及工序(d)，将包括工序(b)和工序(c)的序列实施一次以上。其中，工序(c)包括：第一阶段，抑制由于在蚀刻中生成的反应副产物附着于侧壁而产生的肩部的形成，并蚀刻凹部的底部；以及第二阶段，在第一阶段之后将基板支承器的温度控制为‑40℃以下，来进一步蚀刻凹部的底部。