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    基板移载系统及基板移载方法
    1.
    发明公开
    基板移载系统及基板移载方法 失效

    公开(公告)号：CN103858220A

    公开(公告)日：2014-06-11

    申请号：CN201280049913.1

    申请日：2012-05-23

    Applicant: 株式会社岛津制作所

    Inventor： 东正久 ,  铃木正康 ,  今井大辅 ,  武田直也

    IPC: H01L21/677 ,  C23C16/458

    CPC classification number: C23C16/4587 ,  H01L21/67781

    Abstract: 本发明包括基板载板（21）及基板搭载装置（10），所述基板载板（21）具有在垂直方向上延伸且定义出在水平方向上排列的多个矩形基板搭载区域（211）的搭载面（210），且在各个基板搭载区域（211）的外周的左边、右边及下边分别配置着左边固定销、右边固定销及下边固定销，所述基板搭载装置（10）包括：基板保持机构（15），将多个矩形基板（100）以各自的主面配置在同一平面水平的状态进行保持；基板移动机构（11），以从水平方向观察时相对于基板搭载区域（211）而倾斜的姿势使所保持的多个基板（100）的主面与搭载面（210）接近且相对向；及基板旋转机构（13），使多个基板（100）以一个旋转轴为中心而沿着搭载面（210）同时旋转。

    等离子体成膜方法以及等离子体CVD装置
    2.
    发明公开
    等离子体成膜方法以及等离子体CVD装置 失效

    公开(公告)号：CN101874293A

    公开(公告)日：2010-10-27

    申请号：CN200880117487.4

    申请日：2008-02-26

    Applicant: 株式会社岛津制作所

    Inventor： 铃木正康

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/34 ,  C23C16/509

    CPC classification number: H01L21/318 ,  C23C16/345 ,  C23C16/515 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02274

    Abstract: 在利用电容耦合型等离子体CVD装置的成膜过程中，藉由对低频RF电源进行脉冲控制而在产生电弧放电之前周期性地抑制高温电子的密度，藉此，可抑制电弧放电的产生。脉冲控制中，将实施电力供给的接通时间与停止电力供给的断开时间作为一个期间，以周期性地反复实施电力供给。脉冲控制中，将停止电力供给之后的等离子体中的电子密度的下降过程中、电子密度自停止电力供给起直至达到产生电弧放电的残留等离子体临限值为止的时间，与停止电力供给之后的等离子体中的高温电子的密度下降过程中、自停止电力供给起直至达到特定的等离子体状态为止的时间之间的时间间隔，作为停止电力供给的断开时间，并将开始电力供给之后等离子体中的高温电子密度的上升过程中的饱和时间作为电力供给的接通时间的上限，在上述条件下间断地供给电力。

    表面波等离子体CVD设备以及成膜方法
    3.
    发明授权
    表面波等离子体CVD设备以及成膜方法 失效

    公开(公告)号：CN102549194B

    公开(公告)日：2014-07-30

    申请号：CN201080044034.0

    申请日：2010-10-04

    Applicant: 株式会社岛津制作所

    Inventor： 铃木正康

    IPC: C23C16/511

    CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

    Abstract: 一种表面波等离子体CVD设备，其包括：波导(3)，该波导(3)连接于微波源(2)，多个槽缝天线(S)形成于波导；电介质板(4)，该电介质板(4)用于将从多个槽缝天线(S)射出的微波引导至等离子体处理室(1)，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件(1b)，该绝缘遮蔽构件(1b)配置成包围产生表面波等离子体的成膜处理区域(R)；以及气体喷射部(52)，该气体喷射部(52)将处理材料气体喷射至成膜处理区域(R)。

    等离子体成膜装置
    4.
    发明公开
    等离子体成膜装置 失效

    公开(公告)号：CN103890229A

    公开(公告)日：2014-06-25

    申请号：CN201180072547.7

    申请日：2011-09-26

    Applicant: 株式会社岛津制作所

    Inventor： 铃木正康

    IPC: C23C16/503 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01J37/32036 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H05H1/46

    Abstract: 具备：腔室，搬入有基板固定器，基板固定器具有搭载面，该搭载面搭载着基板；阴极电极，以与搭载面相对向的方式而配置，上述搭载面于腔室内、在上下方向延伸地配置；气体供给装置，将工艺气体导入至腔室内的基板固定器与阴极电极之间；以及交流电源，将交流电力供给至基板固定器与阴极电极之间，使工艺气体于基板固定器与阴极电极之间达到等离子体状态，将以工艺气体中所含的原料作为主成分的薄膜形成于基板上。

    表面波激发等离子体产生装置以及表面波激发等离子体处理装置
    7.
    发明授权
    表面波激发等离子体产生装置以及表面波激发等离子体处理装置 失效

    公开(公告)号：CN101091420B

    公开(公告)日：2011-02-23

    申请号：CN200680001441.7

    申请日：2006-04-20

    Applicant: 株式会社岛津制作所

    Inventor： 铃木正康

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/302 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/32229 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H05H1/46

    Abstract: 本发明可有效地产生表面波激发等离子体。表面波激发等离子体产生装置(10)包括环状导波管(2)以及电介质管(3)。环状导波管(2)包括导入口(2a)、终端板(2b)以及底板(2c)，其中，所述导入口(2a)用来导入微波(M)，所述终端板(2b)用来反射被导入的在管内传播的微波(M)，所述底板(2c)上以预定的间隔形成有槽孔天线(2d)。当微波(M)的管内波长为λg时，将从底板(2c)上的位置(b)开始经过位置(c、d、e)直到位置(f)为止的长度，即，环状导波管(2)的周长π×D1设为2λg，并且位置(b、c、d、e、f)之间隔开λg/2的间隔。由于槽孔天线(2d)配置在位置(c)及位置(e)两处，因此所述2个槽孔天线(2d)的间隔等于管内波长λg。

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